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S23MD01 发布时间 时间:2025/8/27 23:26:32 查看 阅读:15

S23MD01是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于需要高效开关和高电流承载能力的应用。该器件具备低导通电阻、高耐压能力以及快速开关特性,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等领域。S23MD01采用小型表面贴装封装(如SOT-23或SOT-323),适合在空间受限的电路中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):0.26A
  导通电阻(RDS(on)):3.2Ω(最大)
  功率耗散(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOT-23

特性

S23MD01具备多项优异的电气和物理特性,使其在低功率开关应用中表现出色。其低导通电阻确保在导通状态下损耗最小,从而提高系统效率。此外,该MOSFET具有快速开关能力,减少开关过程中的能量损耗,适用于高频操作环境。
  该器件的封装设计使其易于集成到PCB(印刷电路板)中,并提供良好的热管理和机械稳定性。S23MD01的工作温度范围广泛,适用于各种工业和消费电子应用。其栅极驱动电压较低,可与常见的逻辑电平电路兼容,简化了控制电路的设计。
  另外,S23MD01具有良好的抗静电能力(ESD保护),能够在一定程度上抵御静电放电对器件的损害,提高整体系统的可靠性。这使得该MOSFET适用于便携式设备、电池供电系统以及需要高稳定性的嵌入式控制系统。

应用

S23MD01广泛应用于各种低功率电子系统中,包括便携式设备中的电源管理电路、电池保护电路、负载开关、LED驱动器、小型电机控制器以及传感器接口电路。由于其高频开关能力,S23MD01也可用于DC-DC升压或降压转换器、充电管理电路以及低功耗逆变器设计。
  在工业自动化和控制系统中,S23MD01可用于驱动继电器、电磁阀、小型执行机构等负载。其低功耗特性和小尺寸封装也使其成为智能仪表、物联网(IoT)设备和无线通信模块中的理想选择。

替代型号

Si2302DS, AO3400A, 2N7002, BSS138

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