类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：150 mA
　　漏源电压 (VDS)：20 V
　　栅源电压 (VGS)：±12 V
　　导通电阻 (RDS(on))：3.5 Ω @ VGS=4.5V
　　功率耗散 (PD)：200 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管配置：单

S2325SURDA/S530-A3 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该 MOSFET 在导通状态下的电压降较小，从而减少了热量的产生并提高了整体的能效。
　　此外，该器件的漏源电压 (VDS) 为 20V，使其适用于中等功率应用，如小型 DC-DC 转换器和电池供电设备中的电源管理模块。其栅源电压 (VGS) 限制在 ±12V，确保了栅极驱动的安全性和稳定性，防止因过高的栅极电压而导致的损坏。
　　该 MOSFET 具有较高的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。其 SOT-23 封装不仅体积小巧，适合高密度 PCB 设计，而且具有良好的散热性能，有助于维持器件在高负载条件下的稳定工作。
　　另外，S2325SURDA/S530-A3 还具有快速开关特性，适用于需要高频操作的应用，如 PWM 控制器和高速开关电路。这使得该器件能够在高频下保持较低的开关损耗，从而进一步提升系统的效率和响应速度。
　　综上所述，S2325SURDA/S530-A3 是一款性能稳定、可靠性高的功率 MOSFET，适用于多种中低功率的电源管理和开关应用。

S2325SURDA/S530-A3 主要用于各种电源管理电路，包括 DC-DC 转换器、电池充电器和负载开关。它也常用于小型电子设备中的电源控制，如便携式电子产品、智能卡读卡器和传感器模块。
　　此外，该 MOSFET 可用于 LED 驱动电路、小型电机控制和低功耗放大器中。其高频开关特性使其成为 PWM 控制器和小型电源模块的理想选择。
　　在工业自动化和控制系统中，S2325SURDA/S530-A3 可用于实现高精度的电源切换和负载管理。其小型 SOT-23 封装也使其适用于空间受限的 PCB 设计，适合高密度电子产品的制造。

2N7002, BSS138, 2N3904