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S21MT10F 发布时间 时间:2025/8/28 0:37:06 查看 阅读:6

S21MT10F 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用N沟道结构,主要用于高效率功率转换应用。该器件设计用于在高电压和高电流条件下工作,具备良好的导通特性和较低的开关损耗,适用于电源管理、电机控制、负载开关等多种电子系统。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):10A
  最大漏源电压(VDS):20V
  导通电阻(RDS(on)):100mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):13nC
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:PowerFLAT 5x6

特性

S21MT10F MOSFET 具备多项优良特性,适合在高性能电源系统中使用。首先,其低导通电阻(RDS(on))有助于减少导通损耗,提高能效。其次,该器件的最大漏极电流为10A,支持较高功率的应用场景。漏源电压最大值为20V,适用于低压电源管理系统。此外,其栅极电荷较低,有助于降低开关损耗,提高开关速度,从而提升整体系统效率。该器件采用PowerFLAT 5x6封装,具有良好的散热性能和较小的封装体积,适合在空间受限的设计中使用。S21MT10F还具备良好的热稳定性,可在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作,适应各种严苛的环境条件。这些特性使其成为电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等应用的理想选择。
  S21MT10F 的栅极驱动电压范围宽,通常在4.5V至20V之间,支持广泛的控制器和驱动器兼容性。此外,该器件具备较强的抗静电能力(ESD),增强了在实际应用中的可靠性和稳定性。其封装设计有助于简化PCB布局并提高热管理效率,从而延长使用寿命并降低系统故障率。综合来看,S21MT10F 是一款适用于多种功率电子应用的高性能MOSFET器件。

应用

S21MT10F MOSFET 广泛应用于多种电子设备和系统中,包括但不限于以下领域:电源管理模块,如DC-DC转换器、负载开关和稳压器;电池管理系统,用于电动工具、便携式设备和储能系统;电机控制电路,如风扇、泵和小型电机的驱动电路;工业自动化设备中的功率开关模块;以及消费类电子产品中的电源管理和节能控制电路。其低导通电阻和良好的热管理性能,使其在高效能、小型化设计中表现出色。

替代型号

Si2302DS, AO3400, FDS6675, IPD90N03S4-07

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