S21ME8FY是一款由STMicroelectronics制造的可控硅整流器(SCR),主要用于高功率控制和开关应用。这种器件属于功率半导体家族,能够在高电压和高电流条件下工作,适用于需要精确控制电流流动的场合。S21ME8FY采用双极型结构,具有较高的可靠性和稳定性,是工业设备、电源控制系统以及电动机控制电路中常见的组件。
类型:可控硅整流器(SCR)
最大重复峰值反向电压(VRRM):800V
最大平均通态电流(ITAV):21A
最大通态电流(ITRMS):33A
最大通态电压(VTM):1.7V(典型值)
最大门极触发电流(IGT):50μA至1mA(取决于型号后缀)
最大门极触发电压(VGT):0.8V至1.5V
最大断态漏电流(IDRM/IRRM):10μA
工作温度范围:-40°C至+125°C
封装形式:TO-220AB
S21ME8FY具有多项优良特性,适合于各种高功率控制和开关应用。首先,其高达800V的最大重复峰值反向电压(VRRM)使其能够在高压环境下稳定运行,适用于各种交流电源控制应用。其次,最大平均通态电流(ITAV)为21A,最大通态电流(ITRMS)可达33A,表明该器件能够承受较大的电流负载,适用于高功率设备的控制。此外,S21ME8FY的通态电压(VTM)典型值为1.7V,这一数值相对较低,有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。其门极触发电流(IGT)范围为50μA至1mA,具体数值取决于型号后缀,而门极触发电压(VGT)则在0.8V至1.5V之间,这些参数表明该器件可以通过较小的控制信号触发导通,从而实现高效的功率控制。S21ME8FY的最大断态漏电流(IDRM/IRRM)为10μA,这意味着在非导通状态下,器件的漏电流非常小,有助于提高系统的稳定性和可靠性。其工作温度范围为-40°C至+125°C,表明该器件可以在较宽的温度范围内正常工作,适应性强。S21ME8FY采用TO-220AB封装形式,这种封装不仅具有良好的散热性能,还便于安装和使用,适用于各种电路设计。
S21ME8FY主要用于高功率控制和开关应用,例如交流电源控制、电动机控制、加热系统调节、照明控制以及工业自动化设备。在这些应用中,S21ME8FY能够有效地控制电流流动,确保系统的稳定性和可靠性。其高压和大电流承载能力使其特别适合于需要频繁开关或精确控制功率的场合。
S21ME8FYT