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S21MD9 发布时间 时间:2025/8/28 9:07:05 查看 阅读:14

S21MD9是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率功率转换和开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽栅技术,提供低导通电阻(RDS(on))和高开关速度,适用于多种高要求的功率电子系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):12A
  最大漏源电压(VDS):20V
  最大栅源电压(VGS):±12V
  导通电阻(RDS(on)):@4.5V约为8.5mΩ,@2.5V约为13mΩ
  封装形式:PowerFLAT 5x6
  工作温度范围:-55°C至150°C
  功耗(Ptot):40W

特性

S21MD9具有多项先进特性,确保其在高性能功率系统中的可靠性和效率。首先,其低导通电阻显著降低了导通损耗,提高能效。此外,该器件支持逻辑电平栅极驱动,可直接由微控制器或逻辑IC驱动,简化了电路设计。PowerFLAT 5x6封装提供了优良的热性能,有助于快速散热,确保长时间高负载工作下的稳定性。
  该MOSFET的高电流能力和宽温度范围使其适用于各种严苛环境下的应用,例如便携式设备电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池保护电路。此外,S21MD9具备良好的抗雪崩能力,增强了器件在高能量开关环境中的可靠性。
  在动态性能方面,S21MD9具有快速开关特性,减少了开关损耗,并支持高频操作,适用于高效能、小型化电源系统。其封装设计还具备较低的引线电感,进一步提升了高频应用中的性能。

应用

S21MD9广泛应用于需要高效能功率开关的电子设备中。常见的应用包括便携式电子设备的电源管理系统、同步整流型DC-DC转换器、负载开关电路、电池充电与保护模块,以及工业自动化设备中的功率控制单元。此外,该器件也非常适合用于需要高效率与小型化设计的汽车电子系统,如车载信息娱乐系统电源模块和辅助电源管理系统。

替代型号

S21MD9的替代型号包括STL12N20和AO4406A。这些型号在电气性能和封装形式上相近,适用于相似的功率应用。在选择替代器件时,应确保其电气参数、封装尺寸和热性能满足具体应用的需求,并进行充分测试以确保兼容性和稳定性。

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