S21MD3W是一款由STMicroelectronics(意法半导体)推出的肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier),主要用于高频、低电压、大电流的应用场合。该器件采用先进的硅技术制造,具有较低的正向电压降和快速的开关特性,能够显著提高电源转换效率,广泛应用于开关电源(SMPS)、DC/DC转换器、逆变器、电池充电器、汽车电子系统以及其他需要高效能整流功能的电子设备中。S21MD3W封装形式为TO-220,这种封装具备良好的散热性能,适用于高功率密度设计。
类型:肖特基二极管
最大正向电流(IF(AV)):21A
最大反向峰值电压(VRM):30V
正向电压降(VF):典型值为0.45V,最大值为0.58V(在21A时)
反向漏电流(IR):最大为0.5mA(在30V时)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
存储温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220
S21MD3W的主要特性之一是其非常低的正向电压降(VF),这在高电流应用中可以显著降低功率损耗并提高系统效率。此外,由于采用了肖特基结构,该器件的开关速度非常快,几乎没有反向恢复时间(trr),这使得它非常适合用于高频整流电路中,从而减小电感器和变压器的尺寸,提高整体系统的功率密度。
另一个重要特性是其优异的热性能。S21MD3W采用TO-220封装,具有良好的散热能力,能够承受较高的功耗而不会显著升温,这在大电流和高功率应用中尤为关键。同时,该器件的工作温度范围宽达-55°C至+175°C,确保了其在极端环境下的可靠运行。
此外,S21MD3W具有较低的反向漏电流(IR),这在高温环境下尤其重要。虽然肖特基二极管的反向漏电流通常比普通二极管稍高,但S21MD3W通过优化设计将其控制在一个较低的水平,从而减少了高温下漏电流带来的功耗和热问题。
该器件还具有高浪涌电流能力,能够在短时间内承受超过额定电流的瞬态电流冲击,这在电源启动或负载突变的情况下提供了额外的保护作用。因此,S21MD3W非常适合用于需要高可靠性和稳定性的工业和汽车电子系统。
S21MD3W广泛应用于各种电力电子系统中,特别是在需要高效、高频整流的场合。例如,在开关电源(SMPS)中,S21MD3W用于输出整流器,以提高电源的转换效率;在DC/DC转换器中,它可以作为同步整流器的替代方案,降低导通损耗;在逆变器和电机驱动系统中,它可用于续流回路,提高系统的动态响应和稳定性。
在汽车电子领域,S21MD3W可用于车载充电器、DC/AC逆变器以及电动助力转向系统等应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其非常适合用于汽车环境下的严苛条件。
此外,S21MD3W还可用于电池管理系统(BMS)、光伏逆变器、不间断电源(UPS)和工业自动化设备等应用中。在这些应用中,S21MD3W的低正向压降和快速恢复特性有助于提高系统的整体效率和可靠性。
MBR21H30CT, SR3003PT, SB2130