S21MD3V 时间：2025/8/28 22:31:27 阅读：27

S21MD3V 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率 MOSFET 器件，采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻和高效率的特性。该器件广泛应用于电源管理、电池充电系统、DC-DC 转换器以及负载开关等场合。S21MD3V 采用紧凑型封装，适用于对空间要求较高的电子设备。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：2.1A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：33mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电压（VGS）：-20V ~ +20V
　　功耗（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DFN3x3

特性

S21MD3V 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗并提高系统效率。其最大漏极电流为 2.1A，漏源电压为 30V，使其适用于中低功率的电源管理系统。
　　该器件的栅极电压范围为 -20V 至 +20V，具有良好的栅极绝缘性能，能够有效防止因过电压而造成的损坏。同时，其导通电阻在 4.5V 栅极电压下仅为 33mΩ，使得在低压应用中也能实现高效的功率切换。
　　S21MD3V 的封装形式为 DFN3x3，具有较小的体积和良好的热性能，适合高密度 PCB 设计。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
　　其快速开关特性使其适用于高频 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关以及电池管理系统中的功率控制应用。由于其低导通损耗和快速响应能力，S21MD3V 在便携式电子设备、电动工具、工业控制设备以及汽车电子系统中得到了广泛应用。

应用

S21MD3V 主要用于需要高效功率控制和低导通损耗的应用场景。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源管理模块以及电机驱动电路。
　　在便携式电子产品中，S21MD3V 可用于电源开关和负载管理，帮助延长电池寿命并提高能效。在工业控制系统中，该器件可用于电机驱动、继电器替代和电源调节模块。此外，它也适用于电动工具和无人机等设备中的功率管理电路。
　　由于其具备良好的热稳定性和高频开关性能，S21MD3V 也常用于高频逆变器和电源适配器的设计中。其紧凑的 DFN3x3 封装形式使其非常适合用于对空间要求较高的嵌入式系统和模块化电源设计。