S21MD1是一款由STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率MOSFET器件,采用先进的沟槽栅技术,具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件专为高效率电源管理应用而设计,适用于DC-DC转换器、电源开关、负载管理等场景。S21MD1属于N沟道增强型MOSFET,封装形式为DFN(双扁平无引脚)封装,具有小尺寸和优良的散热性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):6A
导通电阻(RDS(on)):18mΩ @ VGS=4.5V
导通电阻(RDS(on)):23mΩ @ VGS=2.5V
功率耗散(PD):3.4W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:DFN3x3
S21MD1具有极低的导通电阻,有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其在4.5V和2.5V栅极驱动电压下均能提供良好的RDS(on)性能,支持在低电压控制系统(如电池供电设备)中使用。
该器件采用先进的沟槽技术,优化了电场分布,提升了器件的开关速度和耐用性。此外,S21MD1的DFN3x3封装形式具有较小的封装尺寸和优良的热管理能力,适用于空间受限和高密度PCB布局的应用场景。
该MOSFET具备较高的耐用性和稳定性,在高温和高电流环境下仍能保持稳定运行,适用于多种工业和消费类电子设备。同时,S21MD1的栅极驱动要求较低,兼容多种标准逻辑电平驱动电路,简化了外围电路设计。
S21MD1广泛应用于便携式电子设备、智能手机、平板电脑、无线通信模块等产品的电源管理系统中。该器件也适用于各类DC-DC转换器、同步整流器、电池充电电路、负载开关以及电机驱动电路等场景。
在电源管理单元(PMU)中,S21MD1作为高侧或低侧开关,能够有效提高系统能效并减少热量产生。在电池供电设备中,该MOSFET可作为主开关或负载切换器件,延长电池续航时间。
此外,S21MD1也适用于工业自动化控制、智能传感器节点、物联网(IoT)设备等对功耗和空间要求较高的应用领域。
Si2302DS, FDMC6670, AO4406, IPD90P03P4-03