S21MD1 时间：2025/8/27 20:42:02 阅读：28

S21MD1是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET器件，采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件专为高效率电源管理应用而设计，适用于DC-DC转换器、电源开关、负载管理等场景。S21MD1属于N沟道增强型MOSFET，封装形式为DFN（双扁平无引脚）封装，具有小尺寸和优良的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：23mΩ @ VGS=2.5V
　　功率耗散（PD）：3.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DFN3x3

特性

S21MD1具有极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其在4.5V和2.5V栅极驱动电压下均能提供良好的RDS(on)性能，支持在低电压控制系统（如电池供电设备）中使用。
　　该器件采用先进的沟槽技术，优化了电场分布，提升了器件的开关速度和耐用性。此外，S21MD1的DFN3x3封装形式具有较小的封装尺寸和优良的热管理能力，适用于空间受限和高密度PCB布局的应用场景。
　　该MOSFET具备较高的耐用性和稳定性，在高温和高电流环境下仍能保持稳定运行，适用于多种工业和消费类电子设备。同时，S21MD1的栅极驱动要求较低，兼容多种标准逻辑电平驱动电路，简化了外围电路设计。

应用

S21MD1广泛应用于便携式电子设备、智能手机、平板电脑、无线通信模块等产品的电源管理系统中。该器件也适用于各类DC-DC转换器、同步整流器、电池充电电路、负载开关以及电机驱动电路等场景。
　　在电源管理单元（PMU）中，S21MD1作为高侧或低侧开关，能够有效提高系统能效并减少热量产生。在电池供电设备中，该MOSFET可作为主开关或负载切换器件，延长电池续航时间。
　　此外，S21MD1也适用于工业自动化控制、智能传感器节点、物联网（IoT）设备等对功耗和空间要求较高的应用领域。