时间:2025/12/27 12:37:55
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S20K115是一款由Littelfuse公司生产的高能瞬态抑制二极管阵列(TVS Diode Array),专为保护敏感电子电路免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和雷击感应浪涌等瞬态电压事件的损害而设计。该器件属于PolyZen系列,结合了齐纳二极管与聚合物可变电阻技术的优势,能够在多种异常电压条件下提供稳定可靠的保护性能。S20K115适用于直流电源输入端口、工业控制线路、通信接口以及其他需要宽范围电压箝位和高能量吸收能力的应用场景。其封装形式为DO-218AB,具备良好的散热性能和机械强度,适合在恶劣环境中长期运行。
工作电压:20V
击穿电压:22.2V
最大钳位电压:32.2V @ Ipp = 17A
峰值脉冲功率:2000W(8/20μs电流波形)
反向工作电压(VRWM):20V
最大反向漏电流:100nA @ 18V
典型击穿电压:22.2V
峰值脉冲电流(Ipp):62.1A
电容值:约100pF @ 1MHz
响应时间:亚纳秒级
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:DO-218AB
S20K115采用先进的聚合物增强型齐纳二极管结构,能够在瞬态过压事件发生时迅速导通并将多余能量分流至地,从而有效保护后级电路。其核心特性之一是具备极低的动态电阻,这使得在大电流冲击下仍能维持相对稳定的钳位电压,避免被保护元件承受过高应力。
该器件具有出色的多次浪涌耐受能力,能够承受IEC 61000-4-5标准中定义的高达±10kV(线对地)和±6kV(线间)的雷击模拟浪涌冲击,且性能不会显著退化。这种耐用性使其特别适用于暴露在复杂电磁环境中的工业设备、户外通信终端和电力监控系统。
另一个关键优势是其自恢复功能。在经历一次严重的过压事件后,S20K115无需更换或人工干预即可自动恢复正常工作状态,大大提升了系统的可用性和维护效率。此外,其较低的漏电流确保在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗,也不会引入信号失真,适用于高精度模拟测量前端或低功耗待机电路。
器件的热稳定性优异,在连续过载或重复脉冲作用下能够有效分散热量,防止局部热点导致的失效。内置的热保护机制会在极端情况下启动,限制电流以防止起火或爆炸风险,符合多项国际安全认证要求。整体设计兼顾了电气性能、物理可靠性和安装便利性,是现代电子系统中实现 robust 过压防护的理想选择之一。
广泛应用于工业自动化控制系统中的电源输入保护,如PLC模块、DCS现场单元和远程I/O设备;用于通信基础设施中的以太网供电(PoE)端口、RS-485总线和CAN总线接口的浪涌防护;适用于智能电表、光伏逆变器、风力发电控制器等新能源领域的直流母线保护;也可部署于医疗设备、测试仪器和安防监控系统的外部接口,抵御来自连接电缆传导的瞬态干扰;此外,还常见于车载电子辅助系统(非直接电池连接部分)以及轨道交通电子装置中,提供稳定的过压抑制能力。
PKE20A