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S20IDHI 发布时间 时间:2025/8/27 20:50:57 查看 阅读:10

S20IDHI 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率器件,主要用于高电压和高电流应用。IGBT 结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势,使其在高功率转换系统中表现出色。S20IDHI 采用 TO-247 封装,适合用于电力电子变换器、电机控制、电源系统等高功率应用领域。

参数

器件类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  最大集电极电流(IC):20A
  导通压降(VCE_sat):典型值 1.55V(在 IC=15A 时)
  最大工作温度:150°C
  封装形式:TO-247
  短路耐受能力:有
  栅极电荷(Qg):典型值 65nC
  

特性

S20IDHI 采用先进的沟道栅技术和场截止(Field Stop)技术,实现了较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体系统效率。
  该器件具有良好的短路耐受能力,能够在异常工作条件下保持稳定运行,提升系统的可靠性。
  S20IDHI 的栅极设计优化,降低了驱动损耗,同时提高了抗干扰能力,使其适用于高频开关应用。
  此外,该 IGBT 具有良好的热稳定性,能够在高温环境下正常工作,适应各种恶劣的工业环境。
  其 TO-247 封装提供了良好的散热性能,便于安装和散热器配合使用,适合高功率密度设计。

应用

S20IDHI 主要应用于各种高功率电力电子系统,包括工业电机驱动器、变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等。
  在工业自动化和电机控制中,S20IDHI 可用于构建高性能的逆变桥式电路,实现高效的能量转换。
  在新能源领域,如光伏逆变器和储能系统中,该器件可有效提升系统转换效率并降低热损耗。
  由于其高可靠性和良好的短路保护特性,S20IDHI 也常用于需要高安全性和稳定性的车载充电系统和轨道交通设备中。

替代型号

SGW20N120HD、FGA20N120ANTD、IKW20N120H3、STGY20NC120HD

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