S20IDHI 时间：2025/8/27 20:50:57 阅读：29

S20IDHI 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率器件，主要用于高电压和高电流应用。IGBT 结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势，使其在高功率转换系统中表现出色。S20IDHI 采用 TO-247 封装，适合用于电力电子变换器、电机控制、电源系统等高功率应用领域。

参数

器件类型：IGBT
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　最大集电极电流（IC）：20A
　　导通压降（VCE_sat）：典型值 1.55V（在 IC=15A 时）
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：TO-247
　　短路耐受能力：有
　　栅极电荷（Qg）：典型值 65nC
　　

特性

S20IDHI 采用先进的沟道栅技术和场截止（Field Stop）技术，实现了较低的导通压降和开关损耗，从而提高了整体系统效率。
　　该器件具有良好的短路耐受能力，能够在异常工作条件下保持稳定运行，提升系统的可靠性。
　　S20IDHI 的栅极设计优化，降低了驱动损耗，同时提高了抗干扰能力，使其适用于高频开关应用。
　　此外，该 IGBT 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下正常工作，适应各种恶劣的工业环境。
　　其 TO-247 封装提供了良好的散热性能，便于安装和散热器配合使用，适合高功率密度设计。

应用

S20IDHI 主要应用于各种高功率电力电子系统，包括工业电机驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等。
　　在工业自动化和电机控制中，S20IDHI 可用于构建高性能的逆变桥式电路，实现高效的能量转换。
　　在新能源领域，如光伏逆变器和储能系统中，该器件可有效提升系统转换效率并降低热损耗。
　　由于其高可靠性和良好的短路保护特性，S20IDHI 也常用于需要高安全性和稳定性的车载充电系统和轨道交通设备中。