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S2008VS2TP 发布时间 时间:2025/12/26 22:53:07 查看 阅读:5

S2008VS2TP是一款由Silicon Labs(芯科科技)推出的高性能、低功耗的系统级封装(SiP)无线微控制器,专为物联网(IoT)应用设计。该器件集成了高性能的ARM Cortex-M4内核与Sub-GHz无线收发器,支持多种调制方式,包括FSK、GFSK和OOK,适用于长距离、低功耗的无线通信场景。S2008VS2TP工作在免许可的Sub-GHz频段(如433 MHz、868 MHz、915 MHz),具备出色的链路预算和抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定运行。该芯片采用紧凑型封装,适合空间受限的应用,同时集成丰富的外设接口,包括UART、SPI、I2C、GPIO等,便于与传感器、显示屏和其他外围设备连接。S2008VS2TP支持多种低功耗模式,可在待机状态下保持极低的电流消耗,延长电池供电设备的使用寿命。此外,该芯片内置安全引擎,支持硬件加密(AES-128/256)、安全启动和密钥存储,保障通信数据的安全性。其开发环境完善,支持Silicon Labs的Simplicity Studio开发平台,提供完整的SDK、协议栈和调试工具,加速产品开发周期。S2008VS2TP广泛应用于智能家居、智能表计、工业监控、农业传感和远程控制等领域。

参数

核心架构:ARM Cortex-M4
  主频:48 MHz
  无线频段:Sub-GHz (433/868/915 MHz)
  调制方式:FSK, GFSK, OOK
  发射功率:+20 dBm
  接收灵敏度:-148 dBm(在1.2 kbps GFSK)
  工作电压:1.8V 至 3.8V
  封装类型:QFN
  闪存容量:128 KB
  RAM容量:16 KB
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  低功耗模式:支持深度睡眠模式(<1 μA)
  安全特性:AES-128/256硬件加密、安全启动、真随机数发生器
  通信接口:UART, SPI, I2C, GPIO

特性

S2008VS2TP的核心优势在于其高度集成的系统架构与卓越的射频性能。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,将高性能的ARM Cortex-M4处理器与高灵敏度Sub-GHz收发器集成于单一封装中,显著减少了外部元件数量,降低了整体BOM成本,并缩小了PCB面积,特别适合对尺寸和成本敏感的物联网终端设备。Cortex-M4内核具备数字信号处理(DSP)指令集和单精度浮点运算单元(FPU),能够高效处理复杂的算法任务,例如传感器数据融合、滤波和本地决策,从而减少对外部主机处理器的依赖。
  在射频性能方面,S2008VS2TP展现出优异的链路预算,高达168 dB,确保在城市环境或障碍物较多的场景下仍能实现可靠的远距离通信。其高输出功率(+20 dBm)结合超低接收灵敏度(-148 dBm),使得通信距离在视距条件下可超过1公里,非常适合用于智能水表、燃气表、农业环境监测等需要广域覆盖的应用。芯片支持灵活的数据速率配置,从几百bps到300 kbps,用户可根据实际需求在传输距离与吞吐量之间进行权衡。
  低功耗设计是S2008VS2TP的另一大亮点。其电源管理系统支持多种运行模式,包括主动模式、睡眠模式和深度休眠模式。在深度休眠模式下,电流消耗低于1微安,配合定时唤醒机制,可实现数年以上的电池寿命,尤其适用于部署在偏远地区或难以更换电池的设备中。此外,芯片内置的低功耗外设(如低功耗定时器、RTC)可在CPU休眠时独立运行,进一步优化能耗。
  安全性方面,S2008VS2TP集成了专用的安全协处理器,支持AES-128/256加密算法、SHA哈希函数和椭圆曲线加密(ECC),并提供安全密钥存储和防篡改机制。这些功能有效防止数据窃听、重放攻击和固件逆向工程,满足工业级和消费级产品的安全合规要求。同时,支持安全启动和安全调试锁定,确保设备在整个生命周期内的可信执行环境。

应用

S2008VS2TP广泛应用于各类低功耗、远距离无线通信场景。在智能表计领域,它被用于水表、电表、燃气表和热表的无线抄表系统,利用其Sub-GHz频段的强穿透能力和长续航特性,实现稳定可靠的自动读表功能。在智能家居系统中,该芯片可用于门窗传感器、烟雾报警器、温湿度控制器等设备,通过私有协议或标准化无线网络实现家庭内部的互联互通。在工业物联网(IIoT)中,S2008VS2TP适用于远程监控终端、资产追踪标签、环境监测节点等,支持工厂、仓库和户外设施的无人值守数据采集。此外,在智慧农业中,该芯片可用于土壤湿度传感器、气象站和灌溉控制系统,借助其远距离通信能力,覆盖大面积农田。其他应用还包括楼宇自动化、智能照明控制、医疗健康设备以及远程遥控装置等。得益于其强大的生态支持和开发工具链,开发者可以快速构建原型并实现量产,缩短产品上市时间。

替代型号

SLWSTK6000B
  SLWRB4250A
  EFR32FG23

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S2008VS2TP参数

  • 标准包装750
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭SCR - 单个
  • 系列-
  • SCR 型灵敏栅极
  • 电压 - 断路200V
  • 电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大)800mV
  • 电压 - 导通状态 (Vtm)(最大)1.6V
  • 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大)5.1A
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)8A
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)200µA
  • 电流 - 维持(Ih)6mA
  • 电流 - 断开状态(最大)5µA
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)83A,100A
  • 工作温度-40°C ~ 110°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装TO-251(V-Pak/I-Pak)
  • 包装管件