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S2004VS2TP 发布时间 时间:2025/12/26 23:02:12 查看 阅读:7

S2004VS2TP是一款由Silicon Labs(芯科科技)推出的高性能、低功耗的数字隔离器芯片,广泛应用于需要电气隔离的工业、消费类及通信系统中。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具备高抗噪能力、优异的瞬态共模抑制比(CMTI)以及出色的温度稳定性。S2004VS2TP集成了四个独立的单向通道,配置为2通道发送和2通道接收(即2/2通道方向配置),适用于SPI、I2C、UART等串行通信接口的隔离需求。其封装形式为小型化SOIC-16宽体封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,适合在紧凑型PCB设计中使用。该芯片支持高达150Mbps的数据速率,满足高速信号传输的应用场景,同时工作电压范围宽,支持3.0V至5.5V的VDD供电,兼容多种逻辑电平系统。此外,S2004VS2TP通过了UL、CSA、TüV等多个国际安全标准认证,确保在高压隔离环境下的长期可靠运行。

参数

型号:S2004VS2TP
  制造商:Silicon Labs
  通道数:4
  通道方向配置:2发送,2接收(2/2)
  数据速率:最高150 Mbps
  供电电压(VDD):3.0 V 至 5.5 V
  隔离耐压:2500 Vrms(最小)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOIC-16(宽体)
  共模瞬态抗扰度(CMTI):±100 kV/μs(典型值)
  安全认证:UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2、VDE 0884-10
  传播延迟:典型值5 ns
  通道间偏斜:典型值3 ns
  电源电流(每通道):典型值1.2 mA

特性

S2004VS2TP具备多项先进特性,使其成为工业级数字隔离应用的理想选择。首先,其基于Silicon Labs专有的RF调制技术实现信号跨隔离栅传输,避免了传统光耦合器中存在的LED老化、温度漂移和速度限制等问题,从而提供了更高的长期稳定性和可靠性。每个通道均采用差分输入结构,显著提升了抗电磁干扰(EMI)的能力,并有效抑制共模噪声的影响。芯片内部集成的刷新电路可确保在无信号切换时输出端仍能维持正确的逻辑状态,防止因长时间静态输入导致的状态丢失,这一功能在关键控制系统中尤为重要。
  其次,S2004VS2TP具有极低的传播延迟和通道间偏斜,使其能够支持高速数字通信协议如SPI和CAN FD等,保证数据完整性与时序精确性。其宽电压工作范围允许与多种微控制器和FPGA直接接口,无需额外的电平转换电路,简化了系统设计并降低了整体成本。此外,该器件的功耗表现优异,在1 Mbps数据速率下每通道仅消耗约1.2 mA电流,适合对能效要求较高的电池供电或便携式设备应用。
  再者,S2004VS2TP符合RoHS环保标准,采用绿色封装材料,不含铅和卤素,符合现代电子产品对环境友好性的要求。其SOIC-16宽体封装不仅提供足够的爬电距离和电气间隙,还便于自动化贴片生产,提升制造效率。内置的故障保护机制可在输入开路或短路情况下自动将输出置为预定义的安全状态,增强了系统的鲁棒性。总体而言,S2004VS2TP凭借其高性能、高可靠性和易用性,在电机驱动、电源管理、PLC模块、医疗设备和新能源逆变器等领域展现出广泛的应用前景。

应用

S2004VS2TP广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在工业自动化领域,常用于可编程逻辑控制器(PLC)、数字I/O模块、现场总线接口以及传感器信号调理电路中,以实现控制侧与执行侧之间的安全隔离,防止地环路干扰和高压窜入损坏主控单元。在电源管理系统中,该芯片被用于隔离式DC-DC转换器、服务器电源监控和电池管理系统(BMS),确保高压侧与低压侧之间的通信安全可靠。在电机驱动应用中,S2004VS2TP可用于隔离PWM控制信号和反馈信号,提升系统的抗噪能力和响应速度。
  此外,在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电桩中,S2004VS2TP承担着隔离通信链路的重要角色,保障高压直流母线与数字控制单元之间的信息交互安全。在医疗设备中,由于对电气安全和信号精度要求极高,该芯片可用于隔离患者连接的监测模块与主处理系统,满足IEC 60601等医疗安全标准。通信基础设施方面,它也适用于隔离RS-485、CAN、I2C等总线接口,提升通信稳定性和系统可靠性。得益于其小尺寸和高集成度,S2004VS2TP同样适用于空间受限的嵌入式系统和模块化设计,是现代高性能隔离方案中的核心元件之一。

替代型号

SI8640BB-B-IS1

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S2004VS2TP参数

  • 标准包装750
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭SCR - 单个
  • 系列-
  • SCR 型灵敏栅极
  • 电压 - 断路200V
  • 电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大)800mV
  • 电压 - 导通状态 (Vtm)(最大)1.6V
  • 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大)2.5A
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)4A
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)200µA
  • 电流 - 维持(Ih)6mA
  • 电流 - 断开状态(最大)2µA
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)25A,30A
  • 工作温度-40°C ~ 110°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装TO-251(V-Pak/I-Pak)
  • 包装管件