型号：S1WBS80
　　封装类型：SMC（DO-214AB）
　　最大重复反向电压（VRRM）：80V
　　最大直流阻断电压（VR）：80V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（单个半波）
　　正向电压降（VF）：典型值0.875V @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 80V, 25°C；10mA @ 80V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约60°C/W（依PCB布局而定）
　　反向恢复时间（trr）：≤30ns

S1WBS80肖特基二极管的核心优势在于其低正向导通压降与高速开关性能的完美结合。由于采用了肖特基势垒结构而非传统的PN结，该器件在正向导通时仅依靠多数载流子（电子）进行导电，避免了少数载流子的存储效应，从而实现了极短的反向恢复时间（trr ≤ 30ns）。这一特性使其在高频开关应用中能够显著减少开关损耗，提升电源系统的整体效率。相较于普通快恢复二极管，S1WBS80在连续高频工作状态下温升更低，有助于延长系统寿命并简化散热设计。
　　该器件的正向电压降典型值仅为0.875V（在1A、25°C条件下），远低于传统硅整流二极管的1.0V以上水平。低VF不仅意味着更少的导通损耗，还能在大电流输出时减少发热，提高能效。此外，S1WBS80具备较强的浪涌电流承受能力，IFSM可达30A，可在瞬态过载或开机冲击电流下保持稳定工作，增强了系统的鲁棒性。
　　从可靠性角度看，S1WBS80的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于高温或低温极端环境，如工业现场、车载电源等。其SMC封装具有良好的机械强度和散热性能，配合适当的PCB铜箔设计，可有效传导热量。器件符合JEDEC标准的湿度敏感等级（MSL-1），无需烘烤即可进行回流焊，提升了生产效率。此外，产品通过AEC-Q101等可靠性认证的可能性较高（具体需查证厂商资料），进一步拓展了其在汽车电子中的应用前景。
　　在电磁兼容性（EMC）方面，由于其快速的开关特性，S1WBS80在关断瞬间可能引发电压振铃现象，因此在实际应用中建议配合RC缓冲电路或优化布局布线以抑制噪声。总体而言，S1WBS80凭借其高效、可靠、紧凑的设计，在现代高密度、高效率电源系统中占据重要地位。

S1WBS80广泛应用于各类中低功率电源转换系统中。常见应用场景包括AC-DC开关电源的次级整流环节，尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑中作为输出整流二极管使用，因其低VF和快速响应特性可显著提升转换效率。在DC-DC转换器中，如Buck、Boost和Buck-Boost电路，S1WBS80常被用作续流二极管或隔离二极管，有效防止电流倒灌并减少能量损耗。
　　该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电路径控制与极性反接保护，利用其单向导通特性防止错误连接导致的设备损坏。在太阳能充电控制器、LED驱动电源、便携式充电设备等对效率敏感的产品中，S1WBS80能够帮助实现更长的续航时间和更低的温升。
　　在通信设备电源模块、路由器、机顶盒等消费类电子产品中，S1WBS80用于提供稳定的低压直流输出。此外，其耐高温特性使其适用于车载充电器、汽车照明电源等车用电子系统。在工业自动化设备、PLC电源单元、传感器供电模块中，该二极管也发挥着关键的整流与保护作用。由于其表面贴装封装，特别适合自动化生产线的大规模组装，有利于降低成本并提高一致性。

SB180
　　MBR180
　　SS18
　　1N5819WS