时间：2025/8/10 19:42:49
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S1VBA60是一种由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET晶体管，广泛应用于高电压和高电流的开关场合。该器件采用先进的沟槽式结构技术，提供优异的导通特性和较低的开关损耗，适用于诸如电源管理、电机控制、DC-DC转换器和逆变器等工业和消费类电子设备。S1VBA60采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，能够承受较高的工作温度，适用于要求高可靠性和稳定性的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏-源电压（VDS）：150V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.022Ω
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220
S1VBA60具有多项优异的电气和机械特性，使其在各种高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作状态下，功率损耗最小化，提高了整体系统效率。其次，该器件具备较高的击穿电压（VDS为150V），适用于中高电压操作环境，同时其栅极驱动电压范围较宽（±20V），增强了使用的灵活性。S1VBA60还具有快速开关能力，有助于降低开关损耗，提高响应速度，适用于高频操作场合。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够有效散热，确保在恶劣工作条件下的可靠性。其TO-220封装形式不仅便于安装，而且具备良好的绝缘性能，提升了整体安全性。
S1VBA60适用于多种高功率和高电压应用场景，包括但不限于：电源管理模块中的DC-DC转换器、UPS不间断电源系统、电机控制电路、太阳能逆变器、电动工具和电动汽车的功率控制系统。由于其高效率和高可靠性，它也广泛用于工业自动化设备、消费类电子产品中的电源开关电路以及各类功率放大器设计。
SiHF60N150E, IXFH60N150P
