S19L 时间：2025/9/7 2:55:59 阅读：6

S19L 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的功率转换和开关应用。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等多种工业和消费类电子产品。S19L 的封装形式为 TO-220 或 D2PAK（取决于具体型号后缀），便于安装和散热。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900V
　　最大漏极电流（Id）：19A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.45Ω（@ Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：典型值 42nC
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220 / D2PAK

特性

S19L 具备多项优异的电气和热性能，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其高达 900V 的漏源电压耐受能力使其适用于高电压系统，例如工业电源和 AC-DC 转换器。其次，低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高整体能效。此外，该器件的栅极电荷较低，支持高频开关操作，从而减小外部元件尺寸并提高系统响应速度。
　　在热管理方面，S19L 采用高热导率封装设计，确保在高电流负载下仍能保持稳定的温度表现，延长器件寿命。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适应严苛的工业环境。同时，该 MOSFET 内置了过热保护和雪崩能量耐受能力，增强了系统的可靠性和抗干扰能力。
　　此外，S19L 还具有快速开关特性和低漏电流，在待机或低功耗模式下能够有效降低系统能耗。这些特性使其非常适合用于现代高效节能的电力电子设备中。

应用

S19L 主要应用于需要高电压和中等电流处理能力的功率电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器、工业自动化设备中的负载开关、LED 照明驱动电路以及家用电器中的功率控制模块。其高耐压和低导通电阻特性也使其成为太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中理想的开关元件。此外，由于其良好的热性能和可靠性，S19L 在汽车电子系统中也有广泛应用，例如车载充电器和电机控制系统。