S16C80C 时间：2025/12/28 15:17:25 阅读：21

S16C80C是一款由东芝（Toshiba）制造的MOS场效应晶体管（MOSFET），属于功率MOSFET器件。该器件通常用于高功率开关应用，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高效能开关的电子系统。S16C80C采用N沟道结构，具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，使其适用于需要高效能和稳定性的应用场景。该MOSFET通常封装在TO-220或类似的大功率封装中，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：800V
　　最大漏极电流（ID）：16A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.35Ω（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

S16C80C具有多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高达800V的漏源电压能力使其适用于高电压环境，例如开关电源和逆变器电路。其次，16A的漏极电流能力确保了该器件可以处理较大的负载电流，适用于高功率输出的场合。导通电阻约为0.35Ω，这一较低的RDS(on)值减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，S16C80C具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级和车载电子设备等严苛环境。其±30V的栅极电压容限增强了抗干扰能力，降低了因栅极电压波动导致损坏的风险。最后，TO-220封装设计提供了良好的散热性能，有助于器件在高功率工作状态下的稳定运行。

应用

S16C80C广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、UPS系统、照明控制（如LED驱动器）以及工业自动化设备。由于其高耐压、高电流能力和低导通电阻，它特别适合用于需要高效能量转换和可靠性的系统中。例如，在开关电源中，S16C80C可用于主开关管，实现高效的能量传输；在电机控制电路中，它可以作为功率开关，实现对电机转速和方向的精确控制；在UPS系统中，该MOSFET可用于逆变电路，确保在停电时能够快速切换到备用电源。