S16143是一款由日本半导体公司Renesas(瑞萨电子)生产的功率MOSFET晶体管,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用N沟道增强型MOSFET结构,具备低导通电阻、高开关速度和高可靠性等优点。S16143封装形式通常为TO-220或类似的功率封装,适用于需要高效率和紧凑设计的电源系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大漏极电流(Id):14A
导通电阻(Rds(on)):0.038Ω @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs):±20V
功率耗散(Pd):75W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
晶体管结构:MOSFET
S16143具有多项优异的电气和物理特性,适用于高效率功率转换系统。
首先,该MOSFET的最大漏源电压为60V,最大漏极电流可达14A,适用于中高功率的开关电源和DC-DC转换器。其导通电阻仅为0.038Ω(在Vgs=10V时),显著降低了导通损耗,提高了系统效率。
其次,S16143采用了先进的沟槽栅极技术,具有较高的开关速度和较低的开关损耗,适合高频应用。此外,其栅极电压容限为±20V,具备较强的抗过压能力,提高了使用的安全性与稳定性。
再者,该器件的封装形式为TO-220,散热性能良好,能够在较高功率下稳定运行。TO-220封装也便于安装在散热片上,增强了其热管理能力。
最后,S16143具有良好的抗静电能力和可靠性,符合工业级标准,适用于各种苛刻环境下的应用,如工业控制、汽车电子、照明系统等。
S16143广泛应用于多种功率电子系统中,特别是在需要高效率和快速开关性能的场合。例如,它被用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外,S16143也适用于低电压大电流的应用,如电源适配器、电动工具和小型逆变器等。由于其优异的导通特性和高可靠性,S16143也常被用作替代传统双极型晶体管(BJT)的理想选择,以提高系统的效率和响应速度。
Si4410BDY, IRFZ44N, FDP6675, AOD4144