时间：2025/8/10 15:44:47
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S15WB60是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率和低功耗的电源管理应用。这款MOSFET采用先进的制造工艺，具有优异的导通电阻和快速开关特性，使其在高频率应用中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：20V
最大连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至+150°C
S15WB60具有低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功耗。其快速开关特性可以提高系统的整体效率，特别适用于高频率的开关电源设计。此外，该器件的热稳定性良好，能够在较高的温度环境下正常工作，适用于各种严苛的工作条件。
其封装设计有助于散热，确保在高功率应用中的可靠性。S15WB60还具有较高的抗静电能力，能够有效防止静电对器件的损害，提升其在复杂电磁环境中的稳定性。该器件的制造工艺符合RoHS标准，支持环保应用。
S15WB60广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电动工具和电动车的驱动电路中。由于其优异的电气性能和可靠性，它也常用于工业自动化设备和消费类电子产品中，特别是在需要高效能和低功耗的设计中。
IRFZ44N, FDPF15N60, STP15NK60Z
