类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：±12 V
　　连续漏极电流（Id）：6 A（@25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：7.7 mΩ（@Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：2.5 W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT4

S15100077 MOSFET 具备多项优异特性，使其在各种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在同步整流和 DC-DC 转换器应用中，这一点尤为重要，因为较低的 Rds(on) 可以减少功率损耗并降低工作温度。
　　其次，该器件支持高达 6A 的连续漏极电流，具备良好的电流承载能力，适用于中高功率应用。此外，S15100077 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，从而提高整体电源转换效率，特别是在高频开关应用中表现突出。
　　该 MOSFET 采用 TSMT4 表面贴装封装，具有良好的热性能和紧凑的尺寸，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。其封装材料符合 RoHS 标准，适用于环保电子产品制造。
　　此外，S15100077 的工作温度范围宽，从 -55°C 到 150°C，能够在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。其栅源电压为 ±12V，适用于多种栅极驱动电路设计，并具备良好的抗过压能力。

S15100077 主要用于需要高效功率转换和控制的电子设备中。常见应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及工业自动化控制系统。
　　在同步整流器中，S15100077 可以替代传统二极管进行整流操作，显著提升效率并减少热量产生。在 DC-DC 转换器中，该器件可作为主开关或同步开关，支持高效降压（Buck）或升压（Boost）转换。
　　在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板电脑和便携式充电设备，S15100077 可用于电源管理单元（PMU）中的负载开关，实现对不同电源轨的快速控制和低功耗管理。
　　此外，该器件也适用于电机驱动和继电器替代应用，提供更高的响应速度和更低的功耗。由于其优异的热性能和封装设计，S15100077 也适合用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块。

Si2302DS, AO4406A, BSS138