类型：功率MOSFET模块
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：13A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.45Ω
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247AD
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V

S13MD3具备多项优异特性，能够满足高要求的电源管理应用需求。其导通电阻低至0.45Ω，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该模块具备良好的热稳定性，能够承受较高的工作温度，并通过高效的散热设计延长使用寿命。
　　在结构设计上，S13MD3采用了先进的封装工艺（TO-247AD），确保在高电流运行条件下具备优异的热传导性能。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于在各种功率电子系统中集成。
　　该器件的高耐压能力（600V）使其适用于开关电源、DC-AC逆变器、电机控制等高电压应用场景。同时，S13MD3具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和稳定性。
　　在可靠性方面，S13MD3通过严格的制造工艺控制和质量检测流程，确保了器件在长期运行中的稳定性与耐用性。它广泛应用于工业自动化、新能源、电动汽车等领域。

S13MD3常用于各类功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、电机驱动器、变频器、LED照明电源、工业控制设备、UPS不间断电源、太阳能逆变器、充电器和电池管理系统等。其高耐压、低导通电阻和良好的热性能使其在需要高效率和高可靠性的电源管理应用中表现出色。

IXTP14N60C3、FQA13N60C、STP13N60DM2、IRFGB40N60B