类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.7mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：80nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247

S13100047 MOSFET采用了东芝先进的沟槽式结构技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现出色，发热更少，有助于提升整体系统稳定性。
　　该器件的高耐压能力（30V）和大电流承载能力（120A）使其适用于高功率密度设计，尤其适合用于高性能电源模块和工业级电源设备。
　　此外，S13100047具备优异的热稳定性，能够在高负载和高温环境下稳定运行，满足工业级和汽车级应用对可靠性的严苛要求。其封装形式为TO-247，便于安装和散热管理，适合用于高功率电路板设计。
　　这款MOSFET还具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高电源转换效率，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。其栅极驱动电荷较低，可以减少驱动电路的负担，提高整体系统响应速度。

S13100047 主要用于各种高功率电源系统中，包括但不限于以下应用场景：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车辆的功率控制电路、工业自动化设备中的功率开关、LED照明驱动电源、不间断电源（UPS）以及负载开关控制等。
　　在新能源汽车和储能系统中，S13100047 可用于电池充放电管理电路，作为高效率的功率开关器件使用。
　　由于其高可靠性和良好的热管理能力，该MOSFET也广泛应用于工业自动化、通信电源、服务器电源等对稳定性要求较高的系统中。

SiHF120N30EF, IPP120N30N5, FDP120N30TM