S11MD9T 时间：2025/8/28 6:15:02 阅读：30

S11MD9T是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高频开关应用和高效能电源管理场合。这款MOSFET采用了先进的工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等多种应用场景。S11MD9T采用小型表面贴装封装（通常为SOP或DFN封装），能够在有限的空间内提供高效的功率处理能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：6A
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散(PD)：3W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

S11MD9T MOSFET具有多项优异特性，首先是其低导通电阻，RDS(on)在VGS=10V时仅为28mΩ，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的漏源电压为20V，能够承受较高的电压应力，适用于低压功率转换应用。其栅源电压范围为±12V，提供了良好的栅极控制能力，并具有一定的过压保护能力。
　　此外，S11MD9T的最大连续漏极电流为6A，适合中等功率的开关应用。其3W的最大功率耗散能力配合小型SOP-8封装，确保在有限空间内实现高效的功率处理。该器件的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适应各种恶劣工作环境，具备良好的热稳定性和可靠性。S11MD9T还内置了静电放电（ESD）保护功能，提高了器件在操作和装配过程中的抗静电能力。

应用

S11MD9T广泛应用于各类电子设备中的功率管理和开关控制电路。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路、LED驱动器以及各类便携式电子设备中的电源管理模块。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适合用于需要高效能和低功耗的设计场景。
　　在DC-DC转换器中，S11MD9T可以作为主开关元件，实现高效的电压转换；在电池管理系统中，可用于电池充放电控制和保护电路；在负载开关应用中，它能够实现快速开关动作并降低功耗。此外，S11MD9T也可用于工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品中的电源管理部分。