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S11MD9T 发布时间 时间:2025/8/28 6:15:02 查看 阅读:14

S11MD9T是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高频开关应用和高效能电源管理场合。这款MOSFET采用了先进的工艺制造,具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等多种应用场景。S11MD9T采用小型表面贴装封装(通常为SOP或DFN封装),能够在有限的空间内提供高效的功率处理能力。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):6A
  导通电阻(RDS(on)):28mΩ @ VGS=10V
  功率耗散(PD):3W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:SOP-8

特性

S11MD9T MOSFET具有多项优异特性,首先是其低导通电阻,RDS(on)在VGS=10V时仅为28mΩ,这有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。该器件的漏源电压为20V,能够承受较高的电压应力,适用于低压功率转换应用。其栅源电压范围为±12V,提供了良好的栅极控制能力,并具有一定的过压保护能力。
  此外,S11MD9T的最大连续漏极电流为6A,适合中等功率的开关应用。其3W的最大功率耗散能力配合小型SOP-8封装,确保在有限空间内实现高效的功率处理。该器件的工作温度范围宽达-55°C至150°C,适应各种恶劣工作环境,具备良好的热稳定性和可靠性。S11MD9T还内置了静电放电(ESD)保护功能,提高了器件在操作和装配过程中的抗静电能力。

应用

S11MD9T广泛应用于各类电子设备中的功率管理和开关控制电路。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路、LED驱动器以及各类便携式电子设备中的电源管理模块。由于其低导通电阻和高电流承载能力,特别适合用于需要高效能和低功耗的设计场景。
  在DC-DC转换器中,S11MD9T可以作为主开关元件,实现高效的电压转换;在电池管理系统中,可用于电池充放电控制和保护电路;在负载开关应用中,它能够实现快速开关动作并降低功耗。此外,S11MD9T也可用于工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品中的电源管理部分。

替代型号

Si2302DS, AO3400A, FDS6675, IPD90N03C4-01

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