S11MD8T 时间：2025/8/27 17:06:59 阅读：15

S11MD8T 是一款由东芝（Toshiba）制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等场景。S11MD8T的封装形式为SOP（Small Outline Package），适用于表面贴装工艺，符合RoHS环保标准。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：8A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大22mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：19nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

S11MD8T MOSFET具备多项高性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高电流应用场景。该器件采用沟槽式结构，提升了单位面积内的电流密度，从而实现更小体积下的高功率处理能力。此外，S11MD8T的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗，特别适用于高频开关电源设计。
　　在可靠性方面，S11MD8T具有良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下稳定运行。其SOP-8封装形式不仅节省空间，而且便于散热设计，适合高密度PCB布局。同时，该器件符合RoHS标准，满足环保要求，适用于消费电子、工业控制和汽车电子等多个领域。

应用

S11MD8T广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在电源管理和功率控制领域。典型应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动电路以及负载开关等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源转换的理想选择。此外，由于其封装小巧且易于焊接，S11MD8T也常用于便携式电子产品、电源适配器以及LED照明驱动电路中。