S11MD7是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高效能的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具有较低的导通电阻(RDS(on))和快速的开关性能,适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池供电设备等场景。S11MD7采用紧凑型PowerFLAT 5x6封装,具有良好的热性能和空间效率,适合在高密度电路设计中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):30V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):11A
导通电阻(RDS(on)):最大22mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装:PowerFLAT 5x6
功率耗散(Pd):40W
S11MD7具有多个关键特性,使其在电源管理和开关应用中表现出色。
首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。在Vgs=10V时,RDS(on)的最大值为22mΩ,使得该器件在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
其次,该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术,优化了开关性能,降低了开关损耗,从而提升了整体能效。这对于高频开关应用(如DC-DC转换器和同步整流器)尤为重要。
第三,S11MD7的封装形式为PowerFLAT 5x6,具备优异的热管理能力。这种封装不仅提供了良好的散热性能,还减少了PCB占用空间,非常适合高密度和高功率密度的设计需求。
此外,该器件的绝对最大额定值(如Vds=30V、Id=11A)确保其在多种工作条件下都能稳定运行,具备较高的可靠性和耐用性。其栅极驱动电压范围为±20V,兼容标准MOSFET驱动器,简化了电路设计。
最后,S11MD7具有宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),适用于工业级和汽车级应用场景,确保在极端温度条件下仍能保持良好性能。
S11MD7广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。在DC-DC转换器中,它作为主开关器件,能够实现高效率和高频操作,适用于笔记本电脑、服务器电源、电信设备和工业电源系统。
在电机控制应用中,S11MD7可用于驱动直流电机、步进电机和无刷电机,提供快速响应和高效的功率切换能力,适用于自动化设备、机器人和电动工具。
此外,该器件适用于负载开关和电池管理系统,用于控制电池充放电路径或电源路径切换,常见于便携式电子设备、移动电源和储能系统中。
在汽车电子领域,S11MD7可用于车身控制模块、电动助力转向系统、车载充电器和电池管理系统,满足汽车应用对可靠性和热管理的严格要求。
同时,该MOSFET也可用于LED照明驱动器、电源适配器和智能电表等消费类和工业类产品中,提供高效、稳定的功率控制解决方案。
SiSS11DN, FDN340P, IPB013N03LG, STN3NF06L