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S11MD5TS 发布时间 时间:2025/8/28 8:31:36 查看 阅读:7

S11MD5TS 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的沟槽式栅极技术,具备低导通电阻、高效率和快速开关特性,适用于各种电源管理和功率转换应用。S11MD5TS 采用 TSOP(Thin Small Outline Package)封装,具有较小的封装尺寸和良好的热性能,适用于空间受限的设计。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):20 V
  栅源电压(VGS):±12 V
  连续漏极电流(ID):5.6 A(在 25°C)
  导通电阻(RDS(on)):18 mΩ(最大值,VGS = 4.5 V)
  功率耗散(PD):2.5 W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TSOP

特性

S11MD5TS 具备多项关键特性,适用于高性能功率转换设计。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件在 VGS = 4.5 V 下的 RDS(on) 最大值为 18 mΩ,适用于低电压驱动应用,如电池供电设备或低压 DC-DC 转换器。
  其次,S11MD5TS 支持高达 5.6 A 的连续漏极电流,使其适用于中等功率的开关应用。该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±12 V,确保在不同驱动电路中具有良好的兼容性。
  该器件采用 TSOP 封装,具有紧凑的尺寸和良好的散热性能,适合空间受限的便携式设备设计。此外,S11MD5TS 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,能够在恶劣环境中稳定运行,适用于工业和汽车电子等应用场景。
  最后,该 MOSFET 的快速开关特性有助于降低开关损耗,提高系统响应速度,适用于高频开关电路,如同步整流器、负载开关、电机驱动和电源管理系统。

应用

S11MD5TS 广泛应用于多个领域,特别是在需要高效功率管理和空间优化的电路中。其主要应用包括电池管理系统(BMS)、DC-DC 转换器、负载开关、电源管理模块、便携式电子设备、电机驱动电路以及工业控制系统。
  在电池管理系统中,S11MD5TS 可用于控制电池充放电路径,提供高效的能量传输和可靠的过流保护。由于其低导通电阻,该器件能够有效减少功率损耗,延长电池使用寿命。
  在 DC-DC 转换器中,S11MD5TS 适用于同步整流拓扑,提升转换效率并减少热量产生。其快速开关特性也有助于实现高频工作,减小外围元件的尺寸。
  此外,该 MOSFET 还适用于负载开关设计,例如用于控制外部设备的供电,提供低功耗、高可靠性的开关功能。在便携式设备中,S11MD5TS 可用于电源管理模块,实现高效的能量分配和节能控制。

替代型号

Si2302DS, AO4406A, IRF7401, FDMS86101

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