S11MD5T 时间：2025/8/28 8:09:48 阅读：9

S11MD5T 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻、高耐压能力和高电流处理能力。S11MD5T 通常用于电源管理和功率转换应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统中。该器件采用紧凑型 TSMT4 封装，适用于空间受限的设计，并具备良好的热性能，能够确保在高负载条件下的稳定运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：5.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：11mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSMT4

特性

S11MD5T 具备多项优良的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 11mΩ，这显著降低了在高电流条件下的导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件支持高达 5.8A 的连续漏极电流，适用于中高功率应用。此外，S11MD5T 的最大漏源电压为 20V，能够在多种电源管理场景中稳定工作。其栅源电压为 ±12V，确保了栅极控制的稳定性，并防止过压损坏。S11MD5T 采用 ROHM 的沟槽栅技术，进一步优化了导通性能和开关速度，使其在高频开关应用中表现出色。该器件的封装形式为 TSMT4，具有较小的封装尺寸，适合高密度 PCB 布局，并具备良好的散热性能，确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
　　在可靠性方面，S11MD5T 符合 AEC-Q101 汽车级认证，适用于车载电子系统中的功率控制应用。此外，该器件还具备较高的抗静电能力和良好的热稳定性，适用于工业控制、消费电子和通信设备中的电源管理模块。

应用

S11MD5T MOSFET 主要应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC 降压/升压转换器、负载开关电路、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备的电源管理单元、LED 照明驱动电路以及各种工业自动化控制系统。由于其具备较高的电流处理能力和较低的导通电阻，S11MD5T 在需要高效能和高可靠性的应用中表现出色，尤其是在需要高频开关操作的场合。此外，其符合 AEC-Q101 标准，使其在汽车电子系统中如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块中也有广泛应用。