时间：2025/8/28 7:33:43
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S11MD4V是一款由东芝（Toshiba）制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用和功率控制电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有优异的导通特性和较低的开关损耗，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等应用场景。S11MD4V为P沟道MOSFET，封装形式为SOT-23，具有紧凑的尺寸和良好的热稳定性，适合在空间受限的便携式设备中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-200mA
功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
S11MD4V作为一款高性能的P沟道MOSFET，具有多项显著特性。首先，其漏源电压（Vds）为20V，适用于中低压功率控制应用，能够在常见的电源管理电路中稳定工作。其次，连续漏极电流（Id）为-200mA，这表明该器件能够承载相对较高的电流，同时具备良好的热管理能力，以确保在高负载条件下不会出现过热现象。
该MOSFET的栅源电压（Vgs）为±12V，提供了较高的栅极驱动兼容性，使其能够与多种控制电路（如微控制器或PWM控制器）配合使用。同时，S11MD4V采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中安装，同时具备良好的散热性能。
此外，S11MD4V的导通电阻（Rds(on)）非常低，在低电压条件下仍能保持较高的效率，从而减少能量损耗并提高整体系统性能。这一特性使其特别适合用于便携式电子设备中的电池管理系统，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
S11MD4V广泛应用于各种低电压功率控制场合，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、背光LED驱动电路、电源管理单元（PMU）以及各类便携式电子产品中的功率开关控制电路。由于其高可靠性和紧凑的封装形式，该器件也常用于汽车电子、工业控制和通信设备中。
Si2302DS, BSS84, FDN340P, DMG2302UX
