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S11MD4T/V 发布时间 时间:2025/12/28 21:00:11 查看 阅读:19

S11MD4T/V是一款由Renesas(原Intersil)生产的同步整流MOSFET驱动器IC,广泛应用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及同步整流电路中。该器件内部集成了高端和低端MOSFET驱动器,支持高频操作,具备快速的驱动能力和精确的时序控制,能够有效提高电源转换效率并降低功耗。

参数

类型:同步整流MOSFET驱动器
  封装形式:TSSOP
  通道数:双通道
  工作电压范围:4.5V至18V
  驱动电流能力:高端/低端各为1A
  工作频率:最高支持1MHz
  输入信号类型:PWM控制
  死区时间控制:内置优化设计
  温度范围:-40°C至+125°C

特性

S11MD4T/V具备高效的双通道MOSFET驱动能力,能够显著降低开关损耗,提高系统效率。其内部集成的高端和低端驱动器支持宽输入电压范围,适用于多种电源拓扑结构,如Buck、Boost、Half-Bridge等。该器件内置的死区时间控制功能可有效防止上下管直通现象,提高系统稳定性与安全性。此外,S11MD4T/V采用了紧凑型TSSOP封装,便于PCB布局,并具有良好的热性能,适合高密度电源设计。该IC还具备抗干扰能力强、响应速度快、驱动波形稳定等特点,适用于高性能电源管理应用。

应用

S11MD4T/V常用于DC-DC转换器、服务器电源、电信设备电源、工业控制系统、电池充电器、LED驱动电源、高频开关电源以及同步整流电路中。由于其高效率和高频响应能力,特别适用于对效率和体积有较高要求的电源系统。

替代型号

ISL8117IRZ-T, LTC7001CMS#PBF, Si8271BBC-C-IS

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