时间：2025/8/10 21:38:35
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S10VTA60 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率的电源转换和功率控制应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力的特点。S10VTA60 采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装技术，广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：75A（Tc=25°C）
漏极功耗（Pd）：200W
导通电阻（Rds(on)）：最大 5.2mΩ @ Vgs = 10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：TO-252（DPAK）
S10VTA60 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度设计，例如在汽车电子、工业自动化和消费类电源设备中。此外，S10VTA60 的栅极电荷（Qg）较低，有助于降低开关损耗，提高开关频率下的性能。
该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其封装形式 TO-252（DPAK）具有优良的散热性能，适用于需要良好热管理的应用。S10VTA60 还具备较强的雪崩能量承受能力，能够在突发的过电压或短路情况下提供额外的保护。
另一个重要特性是其栅极驱动兼容性，支持标准逻辑电平驱动（如 10V 栅极电压），简化了与控制器或驱动器的接口设计。这种特性使得 S10VTA60 在电源管理和电机控制等应用中非常受欢迎。
S10VTA60 广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中。例如，它常用于 DC-DC 转换器中的主开关器件，特别是在同步整流拓扑中，以提高能效。在汽车电子领域，该器件可用于电池管理系统、车载充电器和电动助力转向系统等。
此外，S10VTA60 也适用于负载开关和电机驱动电路，能够高效控制大电流负载。在工业自动化和电源管理设备中，该 MOSFET 可用于实现高效率的功率分配和负载控制。由于其良好的热稳定性和高可靠性，S10VTA60 也常用于需要长时间稳定运行的电源系统，如服务器电源、UPS（不间断电源）和太阳能逆变器。
STP75NF75, IRF1405, FDP8876
