S10VT80 时间：2025/8/10 21:39:57 阅读：9

S10VT80是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET器件，广泛用于需要高效功率管理的电子设备中。该器件基于先进的功率MOSFET技术，具备低导通电阻和高开关性能，适用于多种高功率应用场景。S10VT80采用TO-252封装形式，便于在电路板上安装和散热。其设计旨在提供高效的功率转换和稳定的性能，是电源管理和功率电子系统中的关键组件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　漏源极电压（VDS）：80V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.45Ω（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功耗（PD）：2.5W

特性

S10VT80的主要特性包括其低导通电阻，这使得器件在导通状态下能够减少功率损耗并提高整体效率。此外，它具备较高的最大漏极电流能力，使其适用于需要处理较大电流的场合。器件的栅源极电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力，同时保证了器件的稳定性与可靠性。S10VT80的工作温度范围宽，从-55°C到150°C，能够在各种环境条件下稳定工作。该器件的TO-252封装形式不仅便于安装，还具备良好的散热性能，有助于提高器件的长期运行稳定性。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。由于其紧凑的设计和高性能表现，S10VT80特别适合用于需要小型化和高效能的功率电子系统中。

应用

S10VT80广泛应用于多种功率电子系统，包括但不限于电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关以及电池管理系统。在电源管理模块中，S10VT80可以作为主开关元件，实现高效的能量转换。在电机驱动电路中，该器件能够承受较高的电流和频繁的开关操作，确保系统的稳定运行。此外，它在电池管理系统中可作为保护开关，控制电池的充放电过程。由于其优异的电气特性和封装设计，S10VT80也适用于工业自动化设备、消费类电子产品以及汽车电子系统。