时间：2025/8/20 18:54:24
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S10VB20是一款常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关电路中。该器件由著名的半导体制造商STMicroelectronics生产，具备高效率、低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高功率和高频率应用场景。S10VB20采用TO-220AB封装，具备良好的热稳定性和电流承载能力，适用于工业控制、电机驱动、电源转换和电池管理系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.2mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
S10VB20具有多项优良的电气和热性能特性。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。该器件的高栅极电压容限（±20V）使其在各种驱动条件下都具有良好的稳定性和可靠性。
此外，S10VB20具备快速开关特性，适用于高频率开关应用，减少了开关损耗并提高了响应速度。其TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还能在高功率应用中保持良好的热稳定性。
该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和过载保护能力，适用于严苛的工作环境。这些特性使得S10VB20成为高性能电源管理系统的理想选择。
S10VB20常用于各种高功率和高频率应用中，包括DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和电源开关电路。其高电流承载能力和低导通电阻使其在需要高效能转换和精确控制的场合表现优异。
IPW90R120C3, FDP80N10, IRF1405, STP80NF10
