最大重复峰值反向电压（VRRM）：45V
　　最大直流阻断电压（VR）：45V
　　最大RMS电压（VRMS）：32V
　　最大平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　单脉冲，8.3ms正弦波
　　最大正向电压（VF）：0.5V @ IF=1A, TJ=25°C
　　典型值：0.45V @ IF=1A, TJ=25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ VR=45V, TJ=25°C
　　高温下最大为10mA @ VR=45V, TJ=125°C
　　最大反向恢复时间（trr）：典型值5ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约150°C/W（PCB板上）
　　封装类型：SMA（DO-214AC）

S10U45S的核心优势在于其采用了先进的平面肖特基工艺，实现了极低的正向导通压降与极快的开关速度之间的最佳平衡。这种设计显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体电源系统的能效。在负载电流为1A时，其正向压降仅为0.5V左右，相比传统PN结二极管可大幅减少功率耗散，尤其适用于电池供电或对热管理敏感的应用。
　　该器件的反向恢复时间极短，典型值仅为5ns，几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关环境中不会产生明显的反向恢复尖峰电流，有效抑制了电磁干扰（EMI）并提升了系统稳定性。这一特性使其成为同步整流替代方案中的理想选择，尤其是在无法使用MOSFET同步整流器的低成本设计中。
　　S10U45S具备优异的热稳定性，在结温升高的情况下仍能保持较低的漏电流增长速率。尽管肖特基二极管通常存在较高的温度依赖性漏电流问题，但该型号通过优化金属-半导体接触结构，控制了高温下的漏电行为，确保在125°C结温下反向漏电流不超过10mA，保障了长期运行的可靠性。
　　其SMA封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且具有良好的热传导能力，配合适当的PCB布局（如增加铜箔面积），可实现有效的散热管理。此外，该器件通过AEC-Q101车规级可靠性测试的可能性较高，适用于汽车电子中的辅助电源系统。
　　总体而言，S10U45S是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的高性能肖特基二极管，特别适合用于高频、低压、高效率的电源拓扑结构中。

S10U45S广泛应用于多种电源转换与保护电路中。最常见的用途是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和降压型（Buck）开关电源中作为次级侧整流元件，利用其低VF和快速响应特性提升转换效率。在DC-DC变换器模块中，它常被用作续流二极管或钳位二极管，以防止电感反电动势损坏主开关器件。
　　在电池充电管理系统中，S10U45S可用于防止电池反接或过放电时的倒灌电流，起到隔离与保护作用。同时，由于其快速响应能力，也可用于高频逆变器和UPS不间断电源系统中的自由轮转路径构建。
　　在消费类电子产品如智能手机充电器、笔记本电脑适配器、LED驱动电源中，S10U45S因其小尺寸和高效特性而受到青睐。工业控制设备、网络通信电源模块以及家用电器的内置电源单元也普遍采用此类肖特基二极管来优化能效表现。
　　此外，S10U45S还可用于极性保护电路，安装在电源输入端以防止因电源极性接反而导致后级电路损坏。其45V耐压等级适配于常见的12V、24V工业电源系统，既保证了足够的安全裕量，又避免了过高耐压带来的VF升高问题。
　　在太阳能充电控制器、汽车电子附件电源接口等领域，S10U45S也能发挥出色的性能，提供稳定可靠的整流与保护功能。

SB1045,S10C45