S10K275 时间：2025/12/27 11:29:25 阅读：12

S10K275是一款由Vishay Siliconix生产的瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于电路保护，防止因静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应或其他瞬态过电压事件对敏感电子元件造成损害。该器件属于双向TVS二极管，适用于交流和直流电源线路以及信号线的过压保护。S10K275的命名遵循标准TVS二极管的参数标识方式，其中“S”代表表面贴装，“10K”表示其峰值脉冲功率为10kW，“275”表示其反向关断电压为27.5V。该器件采用TO-220AB或类似的大功率封装形式，具备良好的散热性能，适合在高能量瞬态冲击下稳定工作。由于其快速响应时间（通常在皮秒级别）和低动态电阻特性，S10K275能够在瞬态电压出现时迅速钳位电压至安全水平，从而有效保护下游电路。它广泛应用于工业控制设备、通信系统、电源模块、消费类电子产品以及汽车电子等领域，尤其适用于需要高浪涌承受能力的应用场景。

参数

器件类型：TVS二极管
　　配置类型：双向
　　反向关断电压（VRWM）：27.5 V
　　击穿电压（VBR）：30.6 V @ 1 mA
　　最大钳位电压（VC）：42.1 V @ 23.75 A
　　峰值脉冲电流（IPP）：23.75 A
　　峰值脉冲功率（PPPM）：10000 W（10kW）
　　响应时间：≤ 1 ps
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　安装类型：通孔

特性

S10K275作为一款高性能的瞬态电压抑制二极管，具备卓越的过压保护能力，能够在极端瞬态条件下提供可靠的防护。其核心特性之一是高达10kW的峰值脉冲功率处理能力，这使得它能够吸收来自雷击感应、电力线耦合或大功率开关操作所产生的高强度瞬态能量，而不会发生热损坏或性能退化。该器件的双向结构设计使其适用于交流线路或双极性信号路径中的保护应用，无需考虑极性连接问题，提升了系统设计的灵活性。
　　另一个关键优势是其极快的响应速度，通常在皮秒（ps）量级，远快于传统的过压保护器件如压敏电阻（MOV）或气体放电管（GDT）。这意味着在静电放电（ESD）或快速瞬变脉冲（EFT）事件发生时，S10K275可以在电压上升初期即开始导通并钳位电压，将被保护节点上的电压限制在安全范围内，避免敏感IC（如微控制器、接口芯片或ADC）因过压而损坏。
　　该器件的钳位性能优异，在额定峰值电流下钳位电压仅为42.1V，这一低钳位电压特性有助于降低下游电路所承受的压力，提高整体系统的可靠性。此外，S10K275采用TO-220AB封装，具有较大的金属引脚和散热片结构，能够有效传导和散发瞬态过程中产生的热量，支持长时间重复性浪涌冲击下的稳定运行。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛环境下的工业与户外应用场景。
　　与其他保护方案相比，S10K275还具备长期稳定性好、无老化现象、漏电流低等优点。其在正常工作状态下呈现高阻抗状态，几乎不影响原电路的工作性能；而在故障或瞬态事件中则迅速转变为低阻抗状态，形成旁路通道泄放浪涌电流。这种“待机静默、触发主动”的工作机制使其成为现代电子系统中不可或缺的保护元件。

应用

S10K275广泛用于各类需要高能量瞬态保护的电子系统中。典型应用包括工业自动化控制系统中的电源输入端口保护，用于抵御来自电网波动或电机启停引起的电压尖峰。在通信基础设施中，该器件可用于基站电源、以太网供电（PoE）线路或数据接口的过压防护，提升设备在恶劣电磁环境下的运行稳定性。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器或电动汽车充电模块，S10K275可部署于直流母线或控制电路前端，防止雷击感应或开关瞬态导致的关键元器件失效。此外，在医疗设备、测试仪器和轨道交通电子系统中，该器件也常被用作一级粗保护（Primary Protection），配合其他次级保护器件（如聚合物ESD抑制器或TVS阵列）构建多层防护体系，实现全面的系统级电磁兼容（EMC）设计。
　　由于其高功率特性和通孔安装结构，S10K275特别适合用于PCB板上的主电源入口位置，作为第一道防线拦截外部引入的高压瞬变。同时，其符合多项国际安全与可靠性标准，适用于要求高可靠性的军用、工业及商业级应用场合。