器件类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
　　极性：单向
　　反向工作电压（VRWM）：150 V
　　击穿电压（VBR）：167 V @ 1.0 mA
　　最大钳位电压（VC）：234 V @ 42.7 A
　　峰值脉冲功率（PPPM）：10000 W（10/1000μs波形）
　　峰值脉冲电流（IPP）：42.7 A
　　漏电流（IR）：1 μA 最大值@ 150 V
　　电容典型值（Cj）：85 pF @ 0 V
　　封装形式：DO-218AB
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C

S10K150E2具备卓越的瞬态电压抑制能力，能够在极端电气环境下稳定运行。其核心优势之一是高达10000W的峰值脉冲功率处理能力，基于标准的10/1000μs双指数波形测试条件，这使得它非常适合应对如雷击引起的长持续时间浪涌事件。相比传统的8/20μs波形测试，10/1000μs波形更接近实际电力系统中可能出现的能量释放过程，因此S10K150E2特别适用于交流电源输入侧、配电系统和工业电机驱动等高能量威胁场景。该器件采用先进的硅PN结制造工艺，确保了精确的击穿电压阈值和一致的动态响应特性，在首次导通时能迅速将过电压钳制在安全水平以下，避免下游IC、MOSFET或其他敏感组件因过压而损坏。
　　S10K150E2的钳位电压仅为234V，当承受高达42.7A的瞬态电流时仍能保持较低的残余电压，从而显著降低被保护电路所承受的实际应力。这一特性对于提高系统整体可靠性至关重要，尤其是在宽电压范围供电的应用中。此外，其低漏电流表现（最大1μA @ 150V）确保了在正常工作状态下几乎不会产生额外功耗或干扰，适用于待机功耗敏感的设计。器件的结电容为85pF，在高频信号路径中虽不适用于高速数据线保护，但在电源轨和中低频控制线路中仍可提供出色的兼容性。
　　DO-218AB封装不仅提供了优良的散热性能，还增强了机械强度，支持自动贴片装配工艺，提升生产效率。该TVS二极管的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，使其可在高温工业环境或密闭空间内长期稳定运行。S10K150E2符合RoHS指令要求，并通过了多项国际电磁兼容性（EMC）标准认证，包括IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）和IEC 61000-4-5（surge），体现了其在复杂电磁环境下的高度适应性与防护能力。

S10K150E2主要应用于需要高水平瞬态过压保护的中高功率电子系统。典型使用场景包括交流电源输入端的初级保护，例如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器和变频器等设备，在这些系统中，来自电网的雷击感应或开关瞬态可能造成严重损害。该器件常被布置在桥式整流器之后或PFC电路前端，作为第一道防线吸收大能量浪涌。在工业自动化领域，S10K150E2可用于PLC模块、继电器输出接口和传感器供电线路的保护，防止因电感负载断开产生的反电动势破坏控制逻辑。
　　在新能源系统中，如太阳能光伏逆变器和风力发电控制器，S10K150E2凭借其强大的10kW脉冲耐受能力，能够有效应对户外恶劣天气条件下可能出现的电压突变。此外，它也适用于电信基础设施中的直流供电母线保护，以及电梯控制系统、医疗电源单元等对安全性要求极高的应用场景。由于其单向极性设计，S10K150E2通常用于正极性直流电源线路，不适合交流耦合信号路径或双向信号线保护。但在单极性模拟信号传输、远程监控设备的远距离电缆入口处，也可用作补充保护措施，结合其他限流元件共同构建完整的浪涌抑制方案。

S10K150AHE