类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-1.8A（@Vgs = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-4.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（@Vgs = -4.5V）
　　导通电阻（Rds(on)）：60mΩ（@Vgs = -2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-0.7V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：320pF（@Vds = 10V）
　　输出电容（Coss）：180pF（@Vds = 10V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@Vds = 10V）
　　栅极电荷（Qg）：6nC（@Vgs = -4.5V）
　　功耗（Pd）：1W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

S10B-ZR具备多项优异的技术特性，使其成为低电压、高效率功率开关应用中的理想选择。首先，该器件采用先进的沟槽型MOSFET结构，优化了载流子迁移路径，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。在Vgs为-4.5V时，其典型Rds(on)仅为45mΩ，即便在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下也能保持60mO的低导通电阻，这使得它非常适合用于电池供电设备或对驱动能力有限的逻辑电平直接驱动场合。
　　其次，S10B-ZR具有良好的开关特性。其输入电容（Ciss）为320pF，反向传输电容（Crss）仅为40pF，有助于减少高频开关过程中的噪声干扰和米勒效应，提高开关速度并降低开关损耗。这对于DC-DC转换器尤其是同步整流拓扑中的快速切换至关重要。同时，较低的栅极电荷（Qg=6nC）意味着驱动电路所需提供的能量更少，进一步降低了驱动损耗，并允许使用更简单的驱动电路设计，节省成本和PCB空间。
　　第三，该器件具备稳定的阈值电压范围（-0.7V至-1.0V），确保在不同批次之间具有一致的开启行为，增强了系统设计的可预测性和可靠性。此外，S10B-ZR支持高达-1.8A的连续漏极电流，能够满足多数中小功率负载的需求。其最大漏源电压为-20V，适用于12V或以下的电源系统，例如USB供电设备、便携式仪器、LED驱动模块等。
　　最后，S10B-ZR采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，且具有良好的散热性能。尽管封装尺寸小，但通过优化芯片布局和封装材料，仍能保证在1W功耗下的正常运行。器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准（如有认证版本），可用于车载电子系统。整体而言，S10B-ZR是一款集低导通电阻、优良开关性能、紧凑封装与高可靠性于一体的P沟道MOSFET，适用于现代高效、小型化电源管理系统。

S10B-ZR广泛应用于多种低电压、高效率的电源管理与功率控制场景。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源中，常被用作负载开关或背光驱动电路中的控制元件，利用其低导通电阻和快速响应特性来实现高效的电源通断控制，延长电池续航时间。在DC-DC转换器特别是降压（Buck）变换器中，S10B-ZR可作为同步整流器的上管或下管使用，替代传统二极管以减少导通损耗，提升转换效率。
　　在工业控制系统中，该器件可用于继电器驱动、电机启停控制、传感器电源管理等场合。由于其具备较强的抗干扰能力和稳定的电气特性，即使在电磁环境复杂的工厂环境中也能可靠运行。此外，在电池管理系统（BMS）中，S10B-ZR可用于充放电通路的开关控制，防止反向电流流动，保护电池组安全。
　　在LED照明应用中，S10B-ZR可用于恒流源的开关调节部分，配合PWM信号实现亮度调节功能。其快速开关能力有助于减少闪烁现象，提升视觉体验。另外，在各类嵌入式微控制器单元（MCU）外围电路中，常用于电平转换、电源多路复用或热插拔保护电路中，确保系统在上电顺序或异常断电情况下不会发生损坏。
　　由于其符合RoHS标准且无卤素，S10B-ZR也适用于绿色环保产品设计。此外，其小型SOT-23封装特别适合空间受限的高密度PCB布局，如可穿戴设备、智能家居传感器节点、无线通信模块等。总之，S10B-ZR凭借其优异的电气性能和紧凑的物理尺寸，已成为众多中小型功率电子系统中不可或缺的关键组件。

SI2301-DS-E3
　　DMG2301U
　　AO3401A
　　FDC630P
　　BSS84