S10125PBIB 时间：2025/7/25 21:38:40 阅读：37

S10125PBIB是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效能、高频率的开关应用设计，广泛用于电源转换器、DC-DC转换器、马达驱动器、电池管理系统等高要求的电子电路中。S10125PBIB以其低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及优异的热性能著称，能够提供稳定的电流控制能力，适用于多种高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：120A（Tc=25℃）
　　最大漏-源电压（Vds）：100V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.7mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：PowerPAK SO-8双侧散热封装
　　功率耗散（Pd）：135W

特性

S10125PBIB具有极低的导通电阻，这使得它在导通状态下损耗非常小，从而提高了整体的能效。该器件采用先进的沟槽技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，使其适用于高频开关应用。此外，S10125PBIB具备高热效率的封装设计，能够快速散热，确保在高负载条件下的稳定性。
　　该MOSFET的栅极设计能够承受高达±20V的电压，增强了其在各种驱动条件下的可靠性。S10125PBIB还具备出色的雪崩能量承受能力，能够在异常工作条件下（如短路或过载）保护自身免受损坏。此外，其封装形式为PowerPAK SO-8双侧散热封装，不仅体积小巧，还能通过双面散热提升热管理效率，非常适合高密度PCB布局的应用需求。
　　该器件的制造工艺确保了其在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，工作温度范围可达-55℃至175℃，适用于各种恶劣环境条件下的应用。S10125PBIB的这些特性使其成为高性能电源管理和功率转换应用的理想选择。

应用

S10125PBIB广泛应用于各类高功率电子设备中，尤其是在需要高效能、低损耗和高可靠性的场景中。常见应用包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车辆（EV/HEV）的功率逆变器、工业自动化设备中的马达驱动器、电源管理模块等。
　　由于其低导通电阻和优异的热性能，S10125PBIB特别适合用于高频开关电源和高效率电源转换系统中。在这些应用中，它能够有效降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，其高耐压能力使其适用于各种需要隔离和保护的电路中，如电源适配器、UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等。
　　在汽车电子领域，S10125PBIB可用于车载充电系统、电池管理系统和电机控制单元等关键部件中，满足汽车电子对高可靠性和高稳定性的严苛要求。在工业自动化和机器人系统中，该器件可用于高性能电机驱动和负载开关控制，提升系统的响应速度和能效。