时间：2025/7/30 13:54:58
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S100W T/R是一种表面贴装功率晶体管，广泛用于需要高功率处理能力的应用中。该器件通常采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和高可靠性。S100W T/R是一个N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率控制电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：0.13Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：14nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
S100W T/R具备低导通电阻特性，使其在导通状态下具有较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。该器件还具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适合在高温环境下工作。
该MOSFET采用了先进的制造工艺，确保了在高电压和大电流条件下的稳定性和可靠性。其低栅极电荷特性使得开关损耗较小，适合高频开关应用。
此外，S100W T/R的封装设计提供了良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持较低的工作温度。这种封装还具有较高的机械强度，适合在各种工业和汽车环境中使用。
该器件广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。由于其高可靠性和耐用性，S100W T/R是许多高功率电子设备的理想选择。
S100W T/R主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及各种高功率电子设备中。它适用于需要高效率、高可靠性和高功率处理能力的电路设计。
IRFZ44N, STP80NF03L, FDP6675, Si4410DY
