S10040230GT 时间：2025/8/16 2:49:25 阅读：7

S10040230GT 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率和高功率应用，如 DC-DC 转换器、电源管理模块、电池管理系统、电机驱动和负载开关等。S10040230GT 具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流容量的特点，适用于需要高性能功率开关的场合。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：100A
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.3mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：180nC
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247

特性

S10040230GT 的主要特性之一是其极低的导通电阻，Rds(on) 仅为 2.3mΩ，这使得在高电流工作时的功率损耗显著降低，从而提高了系统的效率并减少了散热需求。该器件采用先进的沟槽栅极结构，提供更佳的开关性能和更低的导通压降。
　　此外，S10040230GT 具有较高的最大漏极电流能力（100A），适用于高功率密度设计。其最大漏源电压为 40V，适用于多种电源转换应用，如同步整流器、DC-DC 升压/降压转换器和电池充电系统。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在严苛的环境条件下稳定运行。其 TO-247 封装形式有助于良好的散热性能，适用于需要高电流和高散热能力的设计场景。
　　在开关特性方面，S10040230GT 具有较低的栅极电荷（Qg 为 180nC），可实现更快的开关速度，减少开关损耗，从而提高整体电源转换效率。这使其适用于高频开关电源和高效率电源管理应用。
　　最后，该器件的工作温度范围宽，从 -55°C 到 150°C，适用于工业级和汽车级应用，确保在极端温度条件下的稳定运行。

应用

S10040230GT 适用于多种高功率电子系统和电源管理应用。其中，主要应用包括但不限于：DC-DC 转换器中的高侧或低侧开关，用于提高电源转换效率；同步整流器中用于降低导通损耗；电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关；电机驱动电路中的功率开关元件；高功率负载开关或电源分配系统；电源管理模块，如服务器、通信设备和工业控制系统的电源供应单元；太阳能逆变器和储能系统中的功率转换电路。