S0602NH 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,能够在高频率下工作,从而提高系统的整体效率。S0602NH 通常采用TO-220或DFN封装形式,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):120A(在Tc=25℃时)
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型值,VGS=10V)
功率耗散(PD):300W
工作温度范围:-55℃至175℃
封装类型:TO-220
S0602NH 的主要特性包括其极低的导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高能效。该器件采用先进的沟槽栅极技术,提高了电流密度,从而在相同尺寸下提供更高的电流能力。此外,S0602NH 具有良好的热稳定性,能够在高温度下稳定工作,延长使用寿命。
该MOSFET还具备快速开关能力,适用于高频开关应用,减少开关损耗。其高耐压能力和高电流承载能力使其非常适合用于电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统和电源管理应用。
在封装方面,S0602NH 通常采用TO-220或DFN封装,便于散热和安装,确保在高功率应用中保持稳定的性能。其坚固的结构设计也提高了器件在恶劣环境下的可靠性。
S0602NH 广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于:
1. 电源管理系统:用于电池充电、放电控制以及能量转换。
2. DC-DC转换器:在高效电源转换模块中作为主开关器件。
3. 电机控制:用于电动工具、工业自动化设备中的电机驱动电路。
4. 负载开关:作为高电流负载的开关控制元件。
5. 汽车电子:用于车载电源系统、电动车辆的电池管理系统等应用。
6. 工业控制系统:用于PLC、伺服驱动器等工业自动化设备中的功率控制。
STL120N6F7AG、IRFB4110、SiR178DP、IPB060N06S4-03