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S-SZA18A 发布时间 时间:2025/8/13 10:15:43 查看 阅读:21

S-SZA18A 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压和快速开关特性,适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池供电设备等应用场景。S-SZA18A采用小型表面贴装封装,便于在高密度PCB设计中使用,同时提供良好的热性能和电流承载能力。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):4.1A
  导通电阻(RDS(on)):最大18mΩ(在VGS=4.5V时)
  功率耗散(PD):2.5W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOP-8

特性

S-SZA18A MOSFET具备多项优异特性,适用于多种功率管理应用。首先,其低导通电阻(RDS(on))仅为18mΩ,能够在高电流条件下显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件具有较高的电流承载能力,在连续漏极电流达到4.1A的情况下仍能保持稳定工作,适用于中等功率的开关应用。此外,S-SZA18A采用了ROHM的先进沟槽工艺技术,实现了优异的开关性能,降低了开关损耗,提高了整体能效。
  在封装方面,S-SZA18A采用SOP-8封装形式,具备良好的热管理能力,适合高密度PCB布局,同时支持表面贴装工艺,提高了制造效率和可靠性。该器件的栅极驱动电压范围宽广(±12V),兼容常见的驱动电路设计,适用于各种数字控制电源系统。S-SZA18A还具有良好的抗冲击和抗干扰能力,在复杂电磁环境中仍能稳定运行。
  此外,S-SZA18A的高耐压特性(20V VDS)使其在电池供电设备和低压DC-DC转换器中具有广泛的应用前景。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)确保了在极端环境条件下的可靠性,适用于工业控制、便携式设备、电动工具以及车载电子系统等领域。

应用

S-SZA18A MOSFET广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、电池保护电路、电机驱动器、LED照明驱动以及各种低电压高效率电源模块。此外,该器件也可用于工业自动化设备、智能电表、便携式电子产品和车载充电器等应用场景。

替代型号

Si2302DS、AO4406、FDN340P、NDS355AN、FDS6680

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