S-SZA18A 时间：2025/8/13 10:15:43 阅读：26

S-SZA18A 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池供电设备等应用场景。S-SZA18A采用小型表面贴装封装，便于在高密度PCB设计中使用，同时提供良好的热性能和电流承载能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大18mΩ（在VGS=4.5V时）
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

S-SZA18A MOSFET具备多项优异特性，适用于多种功率管理应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为18mΩ，能够在高电流条件下显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力，在连续漏极电流达到4.1A的情况下仍能保持稳定工作，适用于中等功率的开关应用。此外，S-SZA18A采用了ROHM的先进沟槽工艺技术，实现了优异的开关性能，降低了开关损耗，提高了整体能效。
　　在封装方面，S-SZA18A采用SOP-8封装形式，具备良好的热管理能力，适合高密度PCB布局，同时支持表面贴装工艺，提高了制造效率和可靠性。该器件的栅极驱动电压范围宽广（±12V），兼容常见的驱动电路设计，适用于各种数字控制电源系统。S-SZA18A还具有良好的抗冲击和抗干扰能力，在复杂电磁环境中仍能稳定运行。
　　此外，S-SZA18A的高耐压特性（20V VDS）使其在电池供电设备和低压DC-DC转换器中具有广泛的应用前景。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境条件下的可靠性，适用于工业控制、便携式设备、电动工具以及车载电子系统等领域。