时间：2025/9/5 13:25:17
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S-SB3100T 是一款由 Sanken（三健）公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理和 DC-DC 转换器等电路中。该器件具有高效、低导通电阻和良好的热稳定性等优点，适用于需要高可靠性和高效率的电子设备。S-SB3100T 采用 TO-252（DPAK）封装，便于散热并适合表面贴装工艺。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：10A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大）
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
S-SB3100T 具有低导通电阻，使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（100V）使其适用于多种中高压电源管理应用。其 TO-252 封装形式具备良好的散热性能，适合在紧凑型设计中使用。
此外，S-SB3100T 具有较高的栅极绝缘能力，栅源电压可达 ±20V，提高了器件在复杂电路环境中的稳定性。其最大漏极电流可达 10A，能够在较宽的负载范围内保持稳定工作。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持正常运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
在应用方面，S-SB3100T 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电源管理系统以及各种需要高效率功率开关的电路中。由于其优异的性能和广泛的适用性，S-SB3100T 在电源管理领域具有较高的市场认可度。
S-SB3100T 常用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、工业自动化设备、UPS（不间断电源）、LED 照明驱动电路以及汽车电子系统中的功率控制模块。
IRF540N, FDPF5N50, STP10NK50Z, FQA10N50C
