类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 2.1mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装：TO-252（DPAK）

S-SB2100T 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的耐压能力，漏源电压可达 100V，适用于多种中高压电源设计。
　　该 MOSFET 还具备优异的热稳定性和高功率耗散能力，TO-252 封装设计有助于良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。此外，S-SB2100T 具有快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小外围电感和电容的尺寸，提升整体设计的紧凑性。
　　器件的栅极驱动电压范围宽，支持 10V 至 20V 的栅源电压，适应不同的驱动电路设计。其高可靠性与坚固的结构设计，使其能够在较为严苛的环境中稳定运行。

S-SB2100T 常用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路等。在服务器电源、通信电源、工业电源和电动汽车充电系统中也具有广泛的应用前景。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，S-SB2100T 特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。例如，在同步整流电路中，该 MOSFET 可以有效替代传统的肖特基二极管，从而显著提高转换效率；在负载开关应用中，它能够快速控制电源通断，保护系统免受过载或短路的影响。

SiHF60N100E、IRF1404、FDMS86180、IPB075N10N3 G