S-LMDL914T1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的表面贴装肖特基二极管。该器件设计用于高频开关应用,具有低正向电压降和快速恢复时间的特点,适用于电源管理、DC-DC转换器、极性保护电路以及其他需要高效能二极管的电子系统。
类型:肖特基二极管
最大重复反向电压(VRRM):40V
最大正向平均电流(IF(AV)):1A
正向压降(VF):0.55V(最大值,典型值为0.375V)
反向漏电流(IR):0.1mA(在25°C时)
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOD-123
安装类型:表面贴装(SMT)
引脚数:2
S-LMDL914T1G 肖特基二极管的主要特性包括其高效的电能转换能力,这得益于其较低的正向压降(VF),从而减少了能量损耗并提高了系统效率。由于其快速恢复时间,该器件非常适合用于高频开关电源和DC-DC转换器中。
此外,S-LMDL914T1G 采用SOD-123封装,这种封装形式体积小巧,便于在空间受限的PCB设计中使用,同时支持自动化的贴片生产工艺,提高了制造效率。该器件还具有良好的热稳定性和较高的可靠性,适合在恶劣的环境条件下运行。
在电气特性方面,该二极管的最大重复反向电压为40V,能够承受较高的电压应力,同时其最大平均正向电流为1A,足以满足大多数中低功率应用的需求。反向漏电流极低,有助于减少在高反向电压下的功耗,提升整体性能。
该器件还具备良好的焊接可靠性和机械强度,适用于多种工业和消费类电子应用。
S-LMDL914T1G 肖特基二极管广泛应用于多个领域,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电电路、极性反接保护电路、高频整流电路以及汽车电子系统等。
在电源管理方面,S-LMDL914T1G 可以用于提高转换效率,减少热量产生,延长设备使用寿命。在电池供电设备中,它可以作为防止电池反接的保护元件,从而避免损坏后级电路。
此外,该器件也常用于通信设备、工业控制系统、LED照明驱动电路等对效率和空间要求较高的电子系统中。
1N5819, MBRS140T3G, SR104-T3