时间：2025/6/6 11:12:08
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S-LMBT5551LT1G 是一款双极型晶体管 (Bipolar Junction Transistor, BJT)，由安森美（ON Semiconductor）制造。该器件具有低电容和高切换速度的特点，适合用于高频开关电路和信号放大应用。它采用了 SOT-23 小型封装形式，有助于节省印刷电路板空间，并且支持表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产。
集电极-发射极击穿电压：30V
集电极电流：-200mA
直流电流增益 (hFE)：100（最小值）
过渡频率 (fT)：750MHz
功耗：340mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
S-LMBT5551LT1G 具有以下关键特性：
1. 高速切换性能，适用于高频应用。
2. 超低电容设计，减少信号失真。
3. 采用 SOT-23 封装，体积小巧，易于集成到紧凑型设计中。
4. 支持表面贴装技术 (SMT)，提高生产效率。
5. 广泛的工作温度范围，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
6. 提供较高的直流电流增益 (hFE)，实现更有效的信号放大。
S-LMBT5551LT1G 广泛应用于需要高速切换和信号放大的场景，包括但不限于以下领域：
1. 高频开关电路。
2. 数据通信设备中的信号调理。
3. 消费类电子产品的音频放大器。
4. 工业控制系统的信号处理模块。
5. 自动化设备中的传感器接口电路。
6. 无线通信模块的射频前端电路。
MMBT5551LT1G
