S-LMBT5551DW1T1G 是一款由 Vishay 生产的双通道 NPN 晶体管阵列。该器件采用微型 SOT-23 封装,适合在空间受限的应用中使用。它广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。该晶体管阵列具有低饱和电压和高增益的特点,可为设计人员提供高效的信号放大和开关功能。
由于其紧凑的设计和优异的电气性能,S-LMBT5551DW1T1G 成为了许多便携式设备的理想选择。
封装:SOT-23
集电极电流(最大):200mA
集电极-发射极电压(最大):30V
发射极-基极电压(最大):6V
功耗(最大):350mW
增益(hFE):125(最小值),400(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
1. 高增益和低饱和电压,能够实现高效开关和信号放大的应用。
2. 小型化 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
3. 良好的热稳定性和可靠性,适用于宽温度范围的工作环境。
4. 双通道独立配置,可以分别控制两个不同的电路回路。
5. 提供出色的电气性能,适用于低功率和中功率场景 开关电路和驱动电路中的晶体管应用。
2. 电池供电设备中的电源管理。
3. 工业控制中的信号隔离与放大。
4. 便携式电子产品,如手机、平板电脑等。
5. 消费类电子产品中的音频信号处理和传感器接口。
6. 数据通信系统中的逻辑电平转换和信号缓冲。
MMBT5551DW1T1G, BC847B