类型：齐纳二极管
　　额定功率：200 mW
　　齐纳电压（VZ）：7.5 V
　　最大齐纳电流（IZM）：30 mA
　　测试电流（IZT）：5 mA
　　电压容差：±5%
　　封装类型：SOD-523
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

S-LM3Z75VT1G 齐纳二极管具有多个优良特性，适用于多种电子设计场景。
　　首先，该器件的齐纳电压为 7.5 V，在标准测试电流 5 mA 下能够提供稳定的参考电压，适用于模拟和数字电路中的电压基准需求。其 ±5% 的电压容差确保在不同工作条件下仍能保持较高的电压精度。
　　其次，该齐纳二极管的额定功率为 200 mW，能够在低功耗环境中运行，适合电池供电设备或低功耗控制系统。最大齐纳电流为 30 mA，设计人员可以根据电路需求选择合适的限流电阻以保护器件免受过流损坏。
　　此外，S-LM3Z75VT1G 采用 SOD-523 小型表面贴装封装，节省 PCB 空间，适合高密度电路板设计。该封装形式还具备良好的热稳定性和机械强度，适合自动化贴片生产流程。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备较强的环境适应能力，适用于工业控制、汽车电子、消费类电子等多种应用场合。

S-LM3Z75VT1G 主要应用于需要稳定电压参考的设计中。
　　在电源管理电路中，该齐纳二极管可作为基准电压源，用于调节输出电压，例如在 DC-DC 转换器或线性稳压器中提供反馈参考电压。由于其稳定性和低功耗特性，也广泛用于传感器电路、微控制器电压监控以及电池充电管理电路中。
　　在信号处理方面，S-LM3Z75VT1G 可用于电压钳位和保护电路，防止输入信号超过安全范围，保护后续电路免受损坏。该器件也常用于运算放大器电路中的参考电压源，确保放大电路的稳定性和精度。
　　此外，由于其紧凑的 SOD-523 封装，该器件非常适合便携式电子产品、智能穿戴设备和物联网（IoT）设备中的空间受限设计。它也可用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、车身控制模块和车载传感器模块，提供可靠的电压参考。

LMVZ750T1G, BZX84C7.5V, MM3Z7.5VT1G