齐纳电压：2.7V
　　容差：±1%（标准）
　　最大齐纳电流：100mA
　　额定功率：200mW
　　封装形式：SOD-523
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　引脚数：2
　　正向电压（IF=10mA）：1.2V（最大）

S-LM3Z2V7T1G 齐纳二极管具备多项优异特性，适用于高精度和高稳定性的电路设计。其标称齐纳电压为2.7V，容差可控制在±1%以内，能够提供精确的电压基准，适用于模拟电路、电源管理、ADC参考电压源等应用。该器件的最大齐纳电流为100mA，额定功率为200mW，能够在较小封装下提供足够的功率处理能力。
　　此外，S-LM3Z2V7T1G 采用 SOD-523 封装，体积小巧，适合用于高密度 PCB 设计。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保在极端环境条件下仍能稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。该齐纳二极管还具有低正向电压降（在10mA下最大为1.2V），有助于降低电路损耗，提高能效。

S-LM3Z2V7T1G 主要用于需要稳定电压参考或电压调节的电子电路中。例如，在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该器件可作为参考电压源，确保传感器、ADC 和电源管理 IC 的正常工作。在工业自动化系统中，S-LM3Z2V7T1G 可用于校准仪表、PLC 模块和信号调节电路，提供稳定的电压基准。
　　该齐纳二极管还可用于电源保护电路中，例如用于稳压或过压保护，确保关键电路在输入电压波动时仍能正常运行。在汽车电子系统中，如车载传感器、ECU 模块和电池管理系统，S-LM3Z2V7T1G 可提供可靠的电压参考和电路保护功能。

LM3Z2V7BRTLT1G, MMSZ2V7T1G, BZX84C2V7LT1G