类型：肖特基二极管
　　封装类型：SOD-523
　　最大正向电流：100mA
　　最大反向电压：30V
　　正向电压降：最大0.375V（在100mA时）
　　反向漏电流：最大100nA（在30V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C

S-LM3Z18VT1G具备多项显著特性，使其在众多电子应用中表现出色。首先，其小信号肖特基二极管设计使其在高频应用中具有优异的性能，能够实现快速开关操作，减少能量损耗。其次，该器件的低正向电压降（最大0.375V）确保了在高电流条件下的高效运行，有助于降低电路的功耗。此外，S-LM3Z18VT1G具有较高的反向击穿电压（最大30V），能够有效保护电路免受高电压冲击的影响。该器件的反向漏电流极低（最大100nA），确保在高阻断电压下的稳定性。S-LM3Z18VT1G采用SOD-523封装，体积小巧，便于在高密度电路中安装，并具有良好的热稳定性和机械强度。此外，该二极管的宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种恶劣环境条件下的应用，包括高温和低温环境。最后，S-LM3Z18VT1G符合RoHS标准，确保其在环保要求较高的应用中具备良好的兼容性。

S-LM3Z18VT1G广泛应用于多个领域，包括消费类电子产品、工业自动化控制系统、通信设备以及电源管理模块。在消费类电子产品中，该二极管常用于信号整流、电源保护和电压钳位等电路中，以提高设备的稳定性和可靠性。在工业控制系统中，S-LM3Z18VT1G可用于高频开关电源和逆变器电路，提供高效的能量转换和稳定的输出电压。此外，在通信设备中，该二极管可应用于射频信号处理和数据传输电路，确保信号的完整性与可靠性。S-LM3Z18VT1G还适用于电池管理系统和低功耗电子设备，其低正向电压降和低反向漏电流特性使其在节能应用中表现优异。

1SS355, PMD380T1G