类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：10V
　　最大齐纳电流：100mA
　　封装类型：SOD-523
　　最大耗散功率：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C

S-LM3Z10VT1G齐纳二极管具有多个关键特性，使其在电子设计中具有很高的实用性。首先，其精确的齐纳电压（10V）确保了在电压调节和参考应用中的稳定性。其次，该器件的最大齐纳电流为100mA，使其能够处理相对较高的电流负载，适用于多种电路设计。此外，S-LM3Z10VT1G的封装为SOD-523，这种小型封装非常适合在空间受限的设计中使用，例如便携式电子设备和嵌入式系统。
　　该器件的最大耗散功率为200mW，确保其在正常工作条件下不会因过热而损坏。工作温度范围从-55°C到150°C，使得S-LM3Z10VT1G能够在极端环境条件下可靠工作，适用于工业和汽车应用。存储温度范围同样广泛，从-55°C到150°C，确保器件在存储和运输过程中不会因温度变化而受到影响。
　　齐纳二极管的一个重要特性是其在反向击穿区域的稳定性。S-LM3Z10VT1G能够在反向击穿电压下保持稳定的电压输出，这使其成为电压参考和稳压电路的理想选择。此外，该器件的快速响应时间和低动态阻抗进一步增强了其在高频和高精度应用中的性能。

S-LM3Z10VT1G齐纳二极管广泛应用于多个领域，包括电压调节、电压参考、电源保护电路、信号调节电路以及各种电子设备中的稳压电路。由于其高稳定性和精确性，该器件特别适合用于精密模拟电路和数字电路中的电压参考源。此外，S-LM3Z10VT1G还可用于保护敏感电子元件免受过电压和静电放电（ESD）的影响，提高电路的可靠性和寿命。

1N4740A, BZX84-C10