时间：2025/8/13 8:26:30
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S-LESD8D5.0CB1T5G 是一款由ONSEMI（安森美半导体）制造的表面贴装（SMD）双向瞬态电压抑制器（TVS）二极管，主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）和瞬态电压的损害。该器件具有低钳位电压和快速响应时间，适用于高速数据线和敏感电子设备的保护。
类型：双向TVS二极管
工作电压：5.0V
最大反向工作电压（VRWM）：5.0V
钳位电压（Vc）：13.3V（在Ipp = 1A时）
峰值脉冲电流（Ipp）：1A
响应时间：小于1纳秒
封装形式：SOD-882
工作温度范围：-55°C至+150°C
S-LESD8D5.0CB1T5G 采用了先进的硅雪崩二极管技术，能够在极短的时间内对瞬态电压做出响应，确保电路安全。其双向保护特性使其非常适合用于双极性信号线的保护。该器件的低钳位电压特性可以有效减少对受保护设备的损害风险。此外，S-LESD8D5.0CB1T5G 采用紧凑的SOD-882封装，适合在空间受限的应用中使用。该器件符合IEC 61000-4-2标准，适用于需要高抗静电能力的设备保护。
其低电容特性（通常为5pF）也使其非常适合用于高速信号线的保护，不会对信号完整性造成明显影响。S-LESD8D5.0CB1T5G 还具有良好的热稳定性和可靠性，在恶劣的环境条件下也能保持稳定的性能。
该器件广泛应用于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）、通信设备（如路由器、交换机）、工业控制系统、消费类电子产品以及汽车电子系统中，用于保护敏感的集成电路免受ESD和瞬态电压的损害。具体应用包括USB接口、HDMI接口、以太网端口、音频/视频接口等高速信号线的保护。
PESD5V0S1BA, NUP1301, TPD3E081
